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2SK2753-01
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
120V
32m
± 50A 150W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
120
120
±50
±200
±30
150
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
V
W
°C
°C
＆ GT ;等效电路
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=10mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=120V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
25A
V
GS
=10V
I
D
=25A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=50V
I
D
=50A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
120
2,5
典型值。
3,0
10
0,2
10
24
50
4250
820
250
30
160
150
140
1,3
150
1,1
马克斯。
3,5
500
1,0
100
32
6400
1200
370
45
240
230
210
2,0
25
50
单位
V
V
A
mA
nA
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
0,833
35
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
120V
2SK2753-01
FAP -IIS系列
漏源导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
） ： ID = 25A ; VGS = 10V
32m
± 50A 150W
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
＆ GT ;特色
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲测试;吨
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 10毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[
]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 50A ; TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
功耗PD = F （TC ）
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
概率pd （W）的
10
↑
I
D
[A]
12
TC （三）
o
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
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251911B
22-23-2051
2-1393239-6
242039NST
2SB1010
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2753-01
    -
    -
    -
    -
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电话：13510131896
联系人：欧阳
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FUJI
15+
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全新原装现货
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
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