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2SK2736
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1030-0200
(上一个: ADE- 208-544 )
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 20毫欧(典型值) 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A)
4 V栅极驱动装置。
高速开关
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AE -A
(包名称: TO- 220C FM)
D
G
1.门
2.漏
3.源
12
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK2736
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
为10μs ,占空比
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
30
120
30
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
30
±20
1.0
12
典型值
20
35
18
750
520
210
16
260
85
90
1.0
45
最大
10
±10
2.0
28
50
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V*
3
I
D
= 15 A,V
GS
= 4 V*
3
I
D
= 15 A,V
DS
= 10 V*
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A,
R
L
= 0.67
I
F
= 30A ,V
GS
= 0
I
F
= 30A ,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK2736
主要特点
功率与温度降额
40
500
200
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
30
100
50
20
D
C
10
10
PW
s
0
1
10
m
s
s
=
m
(1
20
s
10
5
2
1
10
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
3
O
pe
ra
TIO
n
sh
o
t)
(T
c
=
25
°
C
)
0
50
100
150
200
0.5 TA = 25℃
0.1 0.3
1
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
6V
5V
脉冲测试
50
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
4.5 V
40
25°C
–25°C
TC = 75℃
30
4V
30
20
3.5 V
V
GS
= 3 V
20
10
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
1.0
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
500
脉冲测试
200
100
50
V
GS
= 4 V
0.8
0.6
0.4
I
D
= 20 A
10 A
5A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(m)
20
10
5
1
2
5
0.2
10 V
0
4
8
12
16
20
10
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK2736
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(m)
正向转移导纳
y
fs
(S)
100
脉冲测试
80
I
D
= 20 A
V
GS
= 4 V
100
30
10
75°C
3
1
0.3
0.1
0.1
TC = -25°C
25°C
60
40
5, 10 A
20
10 V
0
–40
0
40
80
5, 10, 20 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
120
160
0.3
1
3
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
10000
5000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr ( NS )
300
100
30
10
3
1
0.1
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
电容C (PF )
2000
1000
西塞
500
科斯
200
100
CRSS
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 30 A
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
GS
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
tr
TD (上)
tf
TD (关闭)
30
V
DS
12
20
8
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
4
0
40
开关时间t( NS )
40
16
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 10 V
PW = 5
s,
值班< 1 %
0
8
16
24
32
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK2736
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
50
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0, –5 V
20
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
S( T)
θ
CH - C
θ
CH - C = 5.0 ° C / W ,TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
0.02
e
1
ULS
0.0
tp
ho
1s
PW
T
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
PW (S )
波形
90%
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
10%
VIN
10 V
50
V
DD
= 10 V
TD (上)
90%
90%
TD (关闭)
tf
tr
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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