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2SK2688-01
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
30V
0,017
±50A
60W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±50
±200
±16
520
60
150
-55 ~ +150
L=0.277mH,Vcc=12V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
mJ
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=30V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±16V
V
DS
=0V
I
D
=25A
V
GS
=4V
I
D
=25A
V
GS
=10V
I
D
=25A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=15V
I
D
=50A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
30
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,012
0,0075
45
2750
1300
600
13
180
55
150
1,14
85
0,17
马克斯。
2,0
500
1,0
100
0,017
0,01
4130
1950
900
20
270
83
230
1,71
130
22
50
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
2,08
125,0
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
30V
0,017
±50A
2SK2688-01
FAP -IIS系列
漏源导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
） ： ID = 25A ; VGS = 10V
60W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲测试;吨
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[
]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 50A ; TCH = 25°C
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; TCH = 25
o
C
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
雪崩能量降额
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 12V ;我
AV<
=50A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
EAS [兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
开始总胆固醇[° C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
N沟道MOS - FET的
30V
0,017
±50A
2SK2688-01
FAP -IIS系列
典型的开关特性
60W
＆ GT ;特色
T [ NS ]
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F （T
C
)
125
100
P
D
/ P
DMAX
[%]
75
50
25
0
0
0
0
0
T
C
[°C]
0
0
0
最大雪崩电流与起始物为
ch
I
AV
= F （起始物为
ch
)
120
100
80
60
40
20
0
0
0
0
0
0
0
0
此规格如有变更，恕不另行通知！
2SK2688-01L,S
特点
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
FAP -IIIB系列
T-包（ S）
外形图
T-包（ L）
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
通用功率放大器
L型
EIAJ
S型
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压峰值
最大雪崩能量
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D [ PULS ]
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±50
±200
±16
520
60
+150
-55到+150
单位
备注
V
A
A
V
*1
mJ
W
°C
°C
* 1 L = 0.277mH ， VCC = 12V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=30V
V
GS
=0V
V
GS
=±16V V
DS
=0V
I
D
=25A
V
GS
=10V
I
D
=25A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 15V
G
=10
I
D
=50A
V
GS
=10V
L=100H
T
ch
=25°C
分钟。
30
1.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
=4V
V
GS
=10V
22
典型值。
1.5
10
0.2
10
12
7.5
45
2750
1300
600
13
55
180
150
1.14
85
0.17
马克斯。
2.0
500
1.0
100
17
10
4130
1950
900
20
83
270
230
1.71
130
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
ns
A
V
ns
C
50
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
分钟。
典型值。
马克斯。
2.08
125.0
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI功率MOSFET
特征
2SK2688-01L,S
2
FUJI功率MOSFET
2SK2688-01L,S
3
FUJI功率MOSFET
2SK2688-01L,S
4
查看更多2SK2688-01SPDF信息
推荐型号
20021121-00016D1LF
2025-6011-16
2SA1689E
2191G140IP
216.500
25045HP-08000
24296
253B503A45NA
24LC04BHT-I/ST
2SC752TM
2EZ68D10
2SC2909R
2-146469-6
2-87220-7
2SD1896E
2RD412-1X36245
25AA256-IMFG
2SC4207-BL
2SC4207BL
20020107-D041A01LF
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厂家
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数量
封装
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SK2688-01S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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联系人：陈泽强
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
2SK2688-01S
VB
25+23+
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2SK2688-01S
VBSEMI/台湾微碧
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VBSEMI/台湾微碧
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电话：075582788161
联系人：王小姐
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RENESAS/瑞萨
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