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2SK2684 （L） 2SK2684 （S）

硅N频道DV -L MOS FET

高速电源开关

ADE-208-542

1日。版

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 20毫欧（典型值）。（V

= 10V ，我

= 15 A)

4V栅极驱动装置。

高速开关

概要

LDPAK

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2SK2684 （L） 2SK2684 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

±20

120

150

-55到+150

单位

°C

2SK2684 （L） 2SK2684 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

零门voltege漏

当前

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

DSS

GSS

民

±20

—

1.0

—

典型值

—

750

520

210

260

1.0

最大

—

±10

2.0

—

单位

= 30A ，V

= 0

= 30A ，V

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

测试条件

= 10毫安，V

= 0

±100A,

= 0

= 30 V, V

= 0

±16V,

= 0

= 1mA时， V

= 10V

= 15A ，V

= 10V*

= 15A ，V

= 4V*

= 15A ，V

= 10V*

= 10V

= 0

F = 1MHz的

= 10V ，我

= 15A

= 0.67

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

DS （ ON）

西塞

科斯

反向传输电容的Crss

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

D（上）

D（关闭）

2SK2684 （L） 2SK2684 （S）

主要特点

功率与温度降额

100

P沟（W）的

(A)

最高安全工作区

500

200

100

散热通道

)

c =

ON （

佩拉

C 0

漏电流

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

TA = 25

°C

0.5

0.1 0.3

100

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

(A)

4.5 V

典型的传输特性

(A)

25°C

–25°C

TC = 75℃

漏电流

3.5 V

= 3 V

漏电流

= 10 V

脉冲测试

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

2SK2684 （L） 2SK2684 （S）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

1.0

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

200

100

= 4 V

0.8

0.6

= 20 A

10 A

栅极至源极电压

(V)

0.4

0.2

10 V

10 20

漏电流I

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

)

正向转移导纳| Y

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

100

脉冲测试

= 20 A

= 4 V

5, 10 A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

°C

0.3

0.1

TC = -25

°C

10 V

–40

5, 10, 20 A

= 10 V

脉冲测试

0.3

漏电流I

(A)

100

120

160

壳温度（ ° C）

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