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新电元
HVX - 2系列功率MOSFET
N沟道增强型
2SK2676
（ F10W90HVX2 ）
900V 10A
特点
●
输入电容（西塞）是小的。
外形尺寸
案例： MTO -3P
（单位：毫米）
特别是，输入电容
在0 biass小。
●
静态的Rds（on ）是小的。
●
切换时间是快的。
●
雪崩性保证。
应用
●
AC 240V输入开关电源
●
高电压电源
●
逆变器
评级
“绝对
最大额定值
（ TC
= 25℃）
项
符号
T
英镑
储存温度
T
ch
通道温度
V
DSS
漏源电压
V
GSS
栅源电压
I
D
连续漏电流（ DC ）
I
DP
连续漏电流（峰值）
I
S
连续源电流（DC ）
P
T
总功耗
I
AR
重复性雪崩电流
E
AS
单雪崩能量
E
AR
重复性雪崩能量
器
安装力矩
条件
评级
-55½150
150
900
±30
10
20
10
120
10
260
26
0.8
单位
℃
V
脉冲宽度?? 10s ，占空比?? 1/100
A
W
A
mJ
N½m
T
ch
=
150℃
T
ch
= 25℃
T
ch
= 25℃
（
推荐扭矩
：0.5
N½m
）
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
HVX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ？
项
符号
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
g
fs
Forward Tran½conductance
Static Drain-Source On-½tate Resistance
R
DS （ ON）
V
TH
栅极阈值电压
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
总栅极电荷
Q
g
输入电容
C
国际空间站
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
打开-O FF时间
t
关闭
2SK2676 （ F10W90HVX2 ）
条件
分钟。
900
典型值。
马克斯。
250
±0.1
4.8
2.5
8.0
1.05
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 5A ，V
DS
=
10V
I
D
= 5A ，V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 400V, V
GS
=
10V,
I
D
=
10A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F =
1MH
Z
I
D
= 5A ，R
L
= 30Ω, V
GS
=
10V
90
2150
50
210
140
440
1.4
3.5
1.5
1.04 ℃/Ｗ
nC
pF
250
740
ns
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
2SK2676
20
TC =
55°C
传输特性
25°C
15
漏电流I
D
[A]
100°C
10
150°C
5
V
DS
= 25V
典型值
0
0
5
10
15
20
栅极 - 源极电压V
GS
[V]
2SK2676
100
静态漏源导通电阻
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
[]
10
I
D
= 5.0A
1
0.1
0.01
V
GS
= 10V
脉冲测试
典型值
-50
0
50
100
150
壳温度[ ° C]
2SK2676
6
栅极阈值电压
5
栅极阈值电压V
TH
[V]
4
3
2
1
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
典型值
-50
0
50
100
150
0
壳温度[ ° C]
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型号
厂家
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数量
封装
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