订购数量： ENA1323
2SK2628FS
三洋半导体
数据表
2SK2628FS
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通reisitance 。
低的Qg 。
超高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 4
雪崩电流* 5
符号
VDSS
VGSS
IDc*1
IDpack*2
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
只有最高温度限制
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 3
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
TC = 25 ° C（ SANYO
’
理想的散热条件） * 3
条件
评级
600
±30
7
6.2
24
2.0
35
150
-
-55到+150
98
6
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
显示芯片性能
*2
包装有限公司
*3
三洋的条件是从背面照射。
该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。
*4
VDD = 50V ， L = 5mH ， IAV = 6A
*5
L
≤
5mH ，单脉冲
标记： K2628
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
O2208QB MS IM TC- 00001661号A1323-1 / 5
2SK2628FS
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
VSD
条件
ID = 10毫安， VGS = 0V
VDS = 480V ， VGS = 0V
VGS = ± 30V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4A
ID = 2A ， VGS = 15V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 200V ， VGS = 10V ， ID = 6A
IS = 6A ， VGS = 0V
评级
民
600
1.0
±100
3.5
2.0
4.0
0.9
1050
320
180
23
35
90
35
30
0.85
1.2
1.1
5.5
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7528-001
10.16
3.18
3.3
4.7
2.54
15.8
3.23
15.87
6.68
2.76
1.47 MAX
0.8
1
2
3
12.98
0.5
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220F - 3FS
2.54
2.54
开关时间测试电路
VDD=200V
ID=4A
RL=50Ω
VGS=15V
PW=1μs
D.C.≤0.5%
D
G
RGS
50Ω
S
VOUT
雪崩电阻测试电路
L
≥50Ω
RG
15V
0V
2SK2628FS
2SK2628FS
50Ω
VDD
P.G
第A1323-2 / 5
2SK2628FS
注意使用情况：由于2SK2628FS是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
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量产。
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更改，恕不另行通知。
PS第A1323-5 / 5
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