【2SK2615东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L-π - MOSV ）22SK2615DC-DC转】,IC型号2SK2615,2SK2615 PDF资料,2SK2615经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2615

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

-π - MOSV ）

2SK2615

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 0.23

（典型值）。

: |Y

| = 2.0 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 60 V)

: V

= 0.8 2.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

0.5

1.5

150

单位

°C

脉冲（注1 ）

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-5K1B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：安装在陶瓷衬底（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的

重量0.05克（典型值）。

注3 ：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加和显著变化

在温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道至

环境

符号

第（章-a）的

最大

250

单位

C / W

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

记号

产品型号（或缩写代码）

注4 ： A线到一个批号的右侧标识的指示

产品标签。

如果没有行： [铅] /包括> MCV

用线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

LOT号

注4

2009-09-29

2SK2615

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

≈

48 V, V

= 10 V，I

= 2 A

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 60 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

VGS = 4 V， ID = 1

VGS = 10V ， ID = 1

= 10 V，I

= 1 A

民

—

0.8

—

1.0

—

典型值。

—

0.33

0.23

2.0

150

最大

±10

100

—

2.0

0.44

0.30

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

150

6.0

4.6

1.4

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

= 2 A，V

= 0 V

= 2 A，V

= 0 V

/ DT = 50 A /

μs

测试条件

—

民

—

典型值。

—

100

最大

1.5

—

单位

2009-09-29

2SK2615

2009-09-29

2SK2615

2009-09-29

2SK2615

2009-09-29

2SK2615

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

-π - MOSV ）

2SK2615

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 0.23

（典型值）。

: |Y

| = 2.0 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 60 V)

: V

= 0.8~2.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

0.5

1.5

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-5K1B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：安装在陶瓷衬底（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的

重量0.05克（典型值）。

注3 ：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加和显著变化

在温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道至

环境

符号

第（章-a）的

最大

250

单位

C / W

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

记号

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-17

2SK2615

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

≈

48 V, V

= 10 V，I

= 2 A

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 60 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

VGS = 4 V， ID = 1

VGS = 10V ， ID = 1

= 10 V，I

= 1 A

民

—

0.8

—

1.0

—

典型值。

—

0.33

0.23

2.0

150

最大

±10

100

—

2.0

0.44

0.30

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

150

6.0

4.6

1.4

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

= 2 A，V

= 0 V

= 2 A，V

= 0 V

/ DT = 50 A /

μs

测试条件

—

民

—

典型值。

—

100

最大

1.5

—

单位

2006-11-17

2SK2615

2006-11-17

2SK2615

2006-11-17

2SK2615

2006-11-17