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首字符2的型号第576页
> 2SK2569ZN-TL-E
2SK2569
硅N沟道MOS FET
REJ03G1018-0300
Rev.3.00
2006年12月27日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻。
R
DS ( ON)
= 2.6
最大。 (在V
GS
= 4 V,I
D
= 100 mA时)
2.5 V栅极驱动器。
小型封装( MPAK ) 。
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
D
3
1
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
注意:
标记是"ZN - "
Rev.3.00 2006年12月27日第1页6
2SK2569
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注:1, PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
50
±20
0.2
0.4
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注: 2.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS(on)1
R
DS(on)2
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
50
±20
—
—
0.5
—
—
0.13
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
2.0
3.1
0.23
14.0
17.2
1.73
40
86
1120
430
最大
—
—
1.0
±2.0
1.5
2.6
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 100
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= 10
A,
V
DS
= 5 V
I
D
= 100毫安, V
GS
= 4 V*
2
I
D
= 40 mA时, V
GS
= 2.5 V*
2
I
D
= 100毫安, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V,I
D
= 100毫安,
R
L
= 300
Rev.3.00 2006年12月27日第2页6
2SK2569
主要特点
功率与温度降额
最高安全工作区
1
1毫秒
0.3
150
P沟( mW)的
200
PW
漏电流I
D
(A)
=
10
0.1
s
m
D
C
散热通道
O
pe
100
0.03
0.01
0.003
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
t
ra
n
io
50
0
50
100
150
200
0.001 TA = 25℃
0.1 0.3
1
3
10
30
100
外壳温度
TC ( ℃)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
0.20
10 V 4 V
2.3 V
0.20
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.16
2.5 V
0.16
25°C
TC = 75℃
–25°C
0.08
0.12
2V
0.12
0.08
0.04
脉冲测试
0
2
4
V
GS
= 1.5 V
0.04
V
DS
= 5 V
脉冲测试
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
0.5
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
20
脉冲测试
10
5
V
GS
= 2.5 V
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
0.4
I
D
= 0.2 A
0.3
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
2
4V
1
0.5
0.2
0.01 0.02
0.2
0.1 A
0.1
0.05 A
0
2
4
6
8
10
0.05
0.1
0.2
0.5
1
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年12月27日第3页6
2SK2569
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
10
脉冲测试
8
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 2.5 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳
与漏电流
0.5
0.2
0.1
0.05
TC = -25°C
25°C
75°C
6
0.1 A
0.05 A
0.2 A
0.05, 0.1 A
4
0.02
0.01
0.005
0.001 0.003
0.01
0.03
2
4V
0
–40
0
40
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.1
0.3
1
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
100
30
2
1
西塞
10
科斯
3
1
0.3
0.1
0
CRSS
开关特性
TD (关闭)
开关时间t(微秒)
电容C (PF )
0.5
0.2
0.1
tf
tr
TD (上)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
V
GS
= 10 V
0.05
V
DD
= 30 V
PW = 5
s
值班< 1 %
0.02
0.01 0.02 0.05
0.1
0.2
0.5
1
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
0.20
漏电流
I
D
(A)
反向漏电流I
DR
(A)
0.16
0.12
–5 V
V
GS
= 0
0.08
0.04
脉冲测试
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
Rev.3.00 2006年12月27日第4 6
2SK2569
切换测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
V
DD
= 30 V
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
VIN
VOUT
VIN
10 V
50
10%
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
Rev.3.00 2006年12月27日第5 6
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2SK2569ZN-TL-E
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