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动力F- MOS场效应管
2SK2538
2SK2538
硅N沟道功率的F- MOS
s
特点
q
雪崩
单位：mm
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
能源保障能力
开关
16.7±0.3
q
快速
q
No
二次击穿
7.5±0.2
3.1±0.1
s
应用
q
快速
q
为
开关（开关模式稳压器）
4.0
高频功率放大
14.0±0.5
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
0.5
+0.2
-0.1
0.8±0.1
s
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源击穿电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
T
C
= 25C
TA = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
250
±30
±2
±4
10
30
2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
C
C
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
雪崩能量功能
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
* L = 5mH ，我
L
= 2A ，V
DD
= 30V ， 1个脉冲
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
TO- 220全包套餐（一）
s
电气特性
（ TC = 25 ° C）
参数
漏极 - 源极截止电流
栅极 - 源极漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向纳
二极管的正向电压
输入电容
输出电容
反馈电容
开启时间（延迟时间）
上升时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
通道的情况下，耐热性
通道气氛耐热性
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
V
DSF
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
f
t
D（关闭）
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，R
L
=100
V
DS
=10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
条件
V
DS
= 200V, V
GS
= 0
V
GS
=±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
V
DS
= 25V ，我
D
=1A
I
DR
= 2A ，V
GS
= 0
220
60
20
10
20
45
90
4.17
62.5
0.5
250
1
1.2
1
–1.6
5
2
民
典型值
最大
100
±1
单位
A
A
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
动力F- MOS场效应管
2SK2538
安全操作区（ ASO ）
100
非重复脉冲
T
C
=25C
30
允许功耗P
D
(W)
P
D
- TA
40
(1) T
C
= TA
（2）不带散热片
(P
D
=2.0W)
30
(1)
12
EAS - T的
j
V
DD
=30V
I
D
=2A
雪崩能量EAS的能力（兆焦耳）
10
10
漏电流I
D
(A)
I
DP
3
1
t=10ms
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
漏源电压V
DS
(V)
t=100ms
DC
I
D
t=1ms
8
20
6
4
10
2
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
0
25
50
75
100
125
150
(C)
175
结温度T
j
I
D
– V
DS
5
T
C
=25C
V
GS
=10.0V
9.0V
8.0V
I
D
(A)
I
D
– V
GS
5
V
DS
=10V
T
C
=25C
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
)
R
DS （ ON）
– I
D
5
V
GS
=10V
4
4
7.0V
I
D
(A)
4
3
6.5V
30W
2
6.0V
5.5V
1
5.0V
3
3
漏电流
漏电流
2
2
T
C
=100C
25C
1
0C
1
0
0
4
8
12
V
DS
16
(V)
20
漏极电压
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
0
0
1
2
3
4
5
漏电流I
D
(A)
| Y
fs
| – I
D
输入电容，输出电容，
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
（PF ）
反馈电容
3
V
DS
=25V
T
C
=25C
(S)
C
国际空间站
C
OSS ，
C
RSS
– V
DS
1000
f=1MHz
T
C
=25C
300
C
国际空间站
（纳秒）
100
120
t
D（上） ，
t
r,
t
f,
t
D（关闭）
– I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25C
t
D（关闭）
80
| Y
fs
|
2
100
正向纳
开关时间
t
30
C
OSS
10
60
t
f
40
t
r
20
1
C
RSS
3
t
D（上）
0
0
1
2
3
4
5
漏电流I
D
(A)
1
0
50
100
150
200
250
漏源电压V
DS
(V)
0
0
1
2
漏电流
3
I
D
(A)
4
5
动力F- MOS场效应管
2SK2538
R
th
– t
P
1000
注：v
th
测量在Ta = 25℃
而在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.2A （ 2W ）和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A （ 10W ）和
用100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
（ ° C / W）
100
10
(2)
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
脉冲宽度t
P
(s)
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206-10PST
2020R-38J
2SK3355-ZJ
2SA933LN
25FR40M
23AT1-T2
2SC2958L
2-146483-5
2N3922
2533
295T224R103B12
24-5602-020-002-829
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2105/12T24
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