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2SK2517-01L,S
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
60V
20
m
50A
80W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=20K)
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
60
50
200
±20
80
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
V
W
°C
°C
＆ GT ;等效电路
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=60V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=25A
V
GS
=4V
I
D
=25A
V
GS
=10V
I
D
=25A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
I
D
=50A
V
GS
=10V
R
GS
=10
L=100H
T
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
22
14
35
3100
920
370
15
40
180
100
1,3
70
110,0
马克斯。
2,5
500
1,0
100
34
20
4650
1380
560
30
60
270
150
1,9
17
50,0
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
125
1,56
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
60V
20
2SK2517-01L,S
F- III系列
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
ch
); I
D
= 25A ; V
GS
=10V
50A
80W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型正向跨导
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[m]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量（Qg ） ;我
D
= 50A ， TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V
↑
C [ nF的]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F（ Tc）的
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
T
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一
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2SC4221L
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    2SK2517-01S
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