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数据表
MOS场效应
2SK2510
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2510是N沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高电流的开关应用。
包装尺寸
（以毫米）
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON） 1
= 20毫欧（V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A)
R
DS （ ON） 2
= 30毫欧（V
GS
= 4 V，I
D
= 20 A)
15.0±0.3
10.0±0.3
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
3±0.1
4±0.2
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1 600 pF的典型。
内置G -S保护二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 C)
总功率耗散（T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
*
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
1 2 3
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
±20
±40
±160
35
2.0
150
V
A
A
W
W
C
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
V
DSS
60
V
12.0±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55 + 150℃
MP- 45F （隔离TO- 220 ）
漏
体
二极管
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管
作为对ESD的保护。当此装置被实际使用
一个额外的保护电路，如果将电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
门
门
保护
二极管
来源
一号文件D10290EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
2SK2510
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS （ ON） 1
R
DS （ ON） 2
V
GS （关闭）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
1 600
780
350
35
380
220
300
69
5.0
26
1.0
72
130
1.0
13
10
±10
分钟。
典型值。
16
24
1.5
马克斯。
20
30
2.0
单位
m
m
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 20 A
V
GS （上）
= 10 V
V
DD
= 30 V
R
G
= 10
I
D
= 40 A
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
的di / dt = 100 A /
s
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
10 %
V
GS （上）
90 %
V
GS
0
R
L
V
DD
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
PG 。
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
I
D
电波表
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
2
2SK2510
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
总功耗对比
外壳温度
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
漏电流与
漏源极电压
脉冲
200
正向偏置安全工作区
1000
I
D
- 漏电流 - 一个
100
on
PW
=
R
D
S(
im
)
L
d
ITE
I
D（ DC）的
10
1
10
m
20
s
0
DC
ms
LIM
ITE
d
0
m
s
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（脉冲）
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
100
V
GS
= 4 V
s
10
Di
ss
IPA
TIO
n
1
0.1
T
C
= 25 C
单脉冲
1
10
100
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
1 000
T
A
= –25 C
25 C
125 C
I
D
- 漏电流 - 一个
100
脉冲
10
1.0
V
DS
= 10 V
0
5
10
15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
3
2SK2510
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 62.5 C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 3.57 ° C / W
0.1
0.01
单脉冲
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - S
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1000
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
脉冲
60
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
100
40
10
20
I
D
= 20 A
0
10
20
30
1
1
10
100
1 000
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
80
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
脉冲
2
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
60
40
V
GS
= 4 V
20
V
GS
= 10 V
0
1.0
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1
0
–50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
4
2SK2510
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
40
100
30
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
10
20
1
V
GS
= 0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
10
0
–50
0
50
100
I
D
= 20 A
150
T
ch
- 通道温度 - C
电容与漏极TO
源极电压
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
100 000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
t
D（关闭）
100
t
f
t
r
t
D（上）
10 000
1 000
C
OSS
C
RSS
100
0.1
1
10
C
国际空间站
10
100
1.0
0.1
1.0
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1 000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
60
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
V
DS
20
12
10
V
GS
8
6
4
2
100
40
10
1.0
0.1
1.0
10
100
0
20
40
60
0
80
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
16
80
I
D
= 40 A
14
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23L51220-10
200KXW330M16X35
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2SC4579C
2SA562Y
2-1393104-4
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2SK3280
2SK15
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