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新电元
VZ系列功率MOSFET
N沟道增强型
2SK2490
( F10F18VZ )
180V 10A
特点
输入电容(西塞)是小的。
外形尺寸
案例: FTO -220
(单位:毫米)
特别是,输入电容
在0 biass小。
静态的Rds(on )是小的。
切换时间是快的。
应用
DC / DC转换器
DC 12-24V输入电源
产品相关
整体数位服务网路
评级
●绝对最大额定值( = 25 ℃ )
Tc
符号
条件
储存温度
T
英镑
通道温度
T
ch
漏源电压
V
DSS
栅源电压
V
GSS
连续漏电流(
DC)
I
D
连续漏电流(
峰)
I
DP
连续源电流(
DC)
I
S
P
T
总功耗
单脉冲雪崩电流
I
AS
T
ch
= 25℃
介电强度
V
DIS
终端的情况下,1分钟后
AC
安装力矩
(Recommended torque : N½m )
0.3
评级
-55150
150
180
±30
10
20
10
40
10
2
0.5
单位
V
A
W
A
kV
N½m
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
VZ系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
Forward Tran½conductance
g
fs
Static Drain-Source On-½tate Resistance
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
TH
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
Q
g
总栅极电荷
C
国际空间站
输入电容
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
t
关闭
打开-O FF时间
条件
2SK2490 ( F10F18VZ )
分钟。
180
典型值。
马克斯。
250
±0.1
3.0
2.0
7.0
0.17
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
=
180V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 5A ,V
DS
=
10V
I
D
= 5A ,V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 5A ,V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
=
150V,
V
GS
=
10V,
I
D
=
10A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V , F =
1MH
Z
I
D
= 5A ,V
GS
=
10V,
R
L
= 20Ω
25
720
80
280
50
140
0.25
4.0
1.5
3.12
℃/W
nC
pF
100
280
ns
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
2SK2490
20
TC =
55°C
25°C
100°C
15
150°C
传输特性
漏电流I
D
[A]
10
5
V
DS
= 10V
脉冲测试
典型值
0
5
10
15
20
0
栅极 - 源极电压V
GS
[V]
2SK2490
1000
静态漏源导通电阻
静态漏源通态阻抗R
DS ( ON)
[m]
I
D
= 5A
100
10
V
GS
= 10V
脉冲测试
典型值
-50
0
50
100
150
壳温度[ ° C]
2SK2490
5
栅极阈值电压
栅极阈值电压V
TH
[V]
4
3
2
1
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
典型值
-50
0
50
100
150
0
壳温度[ ° C]
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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