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数据表
MOS场效应
2SK2476
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2476是N沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高压开关的应用程序。
包装尺寸
（以毫米）
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.0
(V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A)
10.0±0.3
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
15.0±0.3
3±0.1
4±0.2
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 C)
总功率耗散（T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
800
±30
±3.0
±9.0
40
2.0
150
3.0
37.8
V
V
A
A
W
W
C
A
mJ
1 2 3
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
12.0±0.2
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 590 pF的典型。
高雪崩能力评级
孤立的TO-220封装
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55 + 150℃
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
→
0
MP- 45F （隔离TO- 220 ）
漏
体
二极管
门
来源
一号文件D10268EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
2SK2476
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
漏极至源极导通电阻
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS （ ON）
V
GS （关闭）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
590
100
20
15
5
45
7
20
5
10
1.0
510
2.2
2.5
1.0
100
±100
分钟。
典型值。
3.4
马克斯。
5.0
3.5
单位
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 20 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 2.0 A
V
GS
= 10 V
V
DD
= 150 V
R
G
= 10
I
D
= 3.0 A
V
DD
= 450 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 3.0 A，V
GS
= 0
I
F
= 3.0 A，V
GS
= 0
的di / dt = 50A /
s
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG
V
GS
= 20 - 0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
G
= 10
R
L
V
GS
电波表
V
GS
0
10 %
V
GS （上）
90 %
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
D
电波表
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
t
T = 1微秒
占空比
≤
1 %
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
2
2SK2476
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
总功耗对比
外壳温度
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
漏电流与
漏源极电压
脉冲
10
正向偏置安全工作区
100
I
D
- 漏电流 - 一个
10
at
d(
GS
=
)
0V
1
I
D（脉冲）
PW
1
I
D
- 漏电流 - 一个
=
1
R
（上
DS
)
ITE
im
L
V
Po
I
D（ DC）的
w
er
Di
10
s
10
m
s
5
V
GS
= 20 V
10 V
8V
6V
ss
ip
0.1
T
C
= 25 C
单脉冲
1
10
at
0 m
离子
s
LIM
ITE
d
10
m
s
100
1000
0
10
20
30
40
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
100
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1.0
0.1
0
5
10
15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
3
2SK2476
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 62.5 （ ℃/ W）
10
R
TH（ CH-C ）
= 3.13（ ℃/ W）
1
0.1
0.01
单脉冲
T
c
= 25 C
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
脉冲
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
10
V
DS
= 20 V
脉冲
T
A
= –25C
25C
75C
125C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
1
10
I
D
=
5
0.1
3A
1.5 A
0.6 A
0.01
1
0.1
1.0
10
0
10
20
30
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
脉冲
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
5
5
0
0
–50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
1.0
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
4
2SK2476
漏极至源极导通电阻与
通道温度
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
100
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
10
5
1
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
0
–50
0
50
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
150
T
ch
- 通道温度 - C
电容与漏极TO
源极电压
10 000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1 000
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
C
国际空间站
100
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
100
C
OSS
10
1.0
C
RSS
10
100
1 000
10
1.0
0.1
1.0
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
10 000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
16
动态输入/输出特性
I
D
= 3.0 A
14
12
10
8
6
4
2
0
10
20
30
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
V
DD
= 150 V
300 V
450 V
1 000
100
10
0.1
1.0
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
5
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202D248X0015A5
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    2SK2476
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