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2SK2446-L,S

F- III系列

＆ GT ;产品特点

-

-

-

-

-

HIGH CURRENT

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

高正向跨导

N沟道MOS - FET的

100V

0,055

30A

80W

＆ GT ;外形图

＆ GT ;应用程序

- 电机控制

- 通用功率放大器

- DC-DC变换器

＆ GT ;最大额定值和特性

- 绝对最大额定值（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

=20K)

连续漏极电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

马克斯。功耗

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

DGR

I

D

I

D（ PULS ）

V

GS

P

D

T

ch

T

英镑

等级

100

100

30

120

±20

80

150

-55 ~ +150

单位

V

V

A

A

V

W

°C

°C

＆ GT ;等效电路

- 电气特性（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源击穿电压

门门限电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

on

(t

on

=t

D（上）

+t

r

)

关断时间t

关闭

(t

on

=t

D（关闭）

+t

f

)

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

-

热特性

符号

R

第（章-a）的

R

TH（ CH-C ）

测试条件

通道的空气

渠道情况

分钟。

典型值。

马克斯。

125

1,56

单位

° C / W

° C / W

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

R

g

C

C

C

t

t

t

t

V

t

Q

GSS

DS （ ON）

fs

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

r

D（关闭）

f

SD

rr

rr

测试条件

I

D

=1mA

V

GS

=0V

I

D

=1mA

V

DS =

V

GS

V

DS

=100V

T

ch

=25°C

V

GS

=0V

T

ch

=125°C

V

GS

=±20V

V

DS

=0V

I

D

=15A

V

GS

=4V

I

D

=15A

V

GS

=10V

I

D

=15A

V

DS

=25V

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

CC

=30V

I

D

=30A

V

GS

=10V

R

GS

=25

I

F

=2xI

DR

V

GS

= 0V牛逼

ch

=25°C

I

F

=I

DR

V

GS

=0V

- 二

F

/ DT = 100A / μs的牛逼

ch

=25°C

分钟。

100

1,0

典型值。

1,5

10

0,2

10

0,04

0,03

30

2500

500

250

20

140

500

260

0,9

130

1,0

马克斯。

2,5

500

1,0

100

0,07

0,055

3700

750

380

30

210

750

390

1,5

15

单位

V

V

A

mA

nA

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

C

热阻

N沟道MOS - FET的

100V

0,055

30A

2SK2446-L,S

F- III系列

漏极 - 源极导通电阻与T

ch

R

DS （ ON）

= F （T

ch

); I

D

= 15A ; V

GS

=10V

80W

＆ GT ;特色

典型的输出特性

I

D

= F（V

DS

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

C

=25°C

典型的传输特性

I

D

= F（V

GS

） ;为80μs脉冲试验; V

DS

= 25V ;牛逼

ch

=25°C

↑

I

D

[A]

↑

1

R

DS （ ON）

[]

↑

2

I

D

[A]

3

V

DS

[V]

→

T

ch

[°C]

→

V

GS

[V]

→

典型的漏源导通状态，电阻与我

D

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

C

=25°C

典型的跨导

g

fs

= F（我

D

） ;为80μs脉冲试验; V

DS

= 25V ;牛逼

ch

=25°C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

= F （T

ch

); I

D

= 1毫安; V

DS

=V

GS

↑

R

DS （ ON）

[

]

↑

g

fs

[S]

↑

5

V

GS （ TH）

[V]

4

6

I

D

[A]

→

I

D

[A]

→

T

ch

[°C]

→

典型的电容

C = F（V

DS

); V

GS

= 0V ; F = 1MHz的

典型栅极电荷特性

V

GS

= F量（Qg ） ;我

D

=30A

反向二极管的正向特性

I

F

= F（V

SD

） ;为80μs脉冲试验; V

GS

=0V

↑

C [ nF的]

↑

V

DS

[V]

↑

V

GS

[V]

↑

I

F

[A]

7

8

9

V

DS

[V]

→

QG [ NC ]

→

V

SD

[V]

→

功耗

P

D

= F（ Tc）的

安全工作区

I

D

= F（V

DS

）： D = 0.01 ， TC = 25℃

Z

TH（ CH-C ）

〔 K / W〕

↑

瞬态热阻抗

Z

thch -C

= F（ t）的参数：D = T / T

↑

P

D

[W]

10

↑

I

D

[A]

12

T

ch

[°C]

→

V

DS

[V]

→

T [ S]

→

此规格如有变更，恕不另行通知！

2SK2446-L,S

F- III系列

＆ GT ;产品特点

-

-

-

-

-

HIGH CURRENT

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

高正向跨导

N沟道MOS - FET的

100V

0,055

30A

80W

＆ GT ;外形图

＆ GT ;应用程序

- 电机控制

- 通用功率放大器

- DC-DC变换器

＆ GT ;最大额定值和特性

- 绝对最大额定值（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

=20K)

连续漏极电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

马克斯。功耗

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

DGR

I

D

I

D（ PULS ）

V

GS

P

D

T

ch

T

英镑

等级

100

100

30

120

±20

80

150

-55 ~ +150

单位

V

V

A

A

V

W

°C

°C

＆ GT ;等效电路

- 电气特性（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源击穿电压

门门限电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

on

(t

on

=t

D（上）

+t

r

)

关断时间t

关闭

(t

on

=t

D（关闭）

+t

f

)

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

-

热特性

符号

R

第（章-a）的

R

TH（ CH-C ）

测试条件

通道的空气

渠道情况

分钟。

典型值。

马克斯。

125

1,56

单位

° C / W

° C / W

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

R

g

C

C

C

t

t

t

t

V

t

Q

GSS

DS （ ON）

fs

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

r

D（关闭）

f

SD

rr

rr

测试条件

I

D

=1mA

V

GS

=0V

I

D

=1mA

V

DS =

V

GS

V

DS

=100V

T

ch

=25°C

V

GS

=0V

T

ch

=125°C

V

GS

=±20V

V

DS

=0V

I

D

=15A

V

GS

=4V

I

D

=15A

V

GS

=10V

I

D

=15A

V

DS

=25V

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

CC

=30V

I

D

=30A

V

GS

=10V

R

GS

=25

I

F

=2xI

DR

V

GS

= 0V牛逼

ch

=25°C

I

F

=I

DR

V

GS

=0V

- 二

F

/ DT = 100A / μs的牛逼

ch

=25°C

分钟。

100

1,0

典型值。

1,5

10

0,2

10

0,04

0,03

30

2500

500

250

20

140

500

260

0,9

130

1,0

马克斯。

2,5

500

1,0

100

0,07

0,055

3700

750

380

30

210

750

390

1,5

15

单位

V

V

A

mA

nA

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

C

热阻

N沟道MOS - FET的

100V

0,055

30A

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F- III系列

漏极 - 源极导通电阻与T

ch

R

DS （ ON）

= F （T

ch

); I

D

= 15A ; V

GS

=10V

80W

＆ GT ;特色

典型的输出特性

I

D

= F（V

DS

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

C

=25°C

典型的传输特性

I

D

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GS

） ;为80μs脉冲试验; V

DS

= 25V ;牛逼

ch

=25°C

↑

I

D

[A]

↑

1

R

DS （ ON）

[]

↑

2

I

D

[A]

3

V

DS

[V]

→

T

ch

[°C]

→

V

GS

[V]

→

典型的漏源导通状态，电阻与我

D

R

DS （ ON）

= F（我

D

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C

=25°C

典型的跨导

g

fs

= F（我

D

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DS

= 25V ;牛逼

ch

=25°C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

= F （T

ch

); I

D

= 1毫安; V

DS

=V

GS

↑

R

DS （ ON）

[

]

↑

g

fs

[S]

↑

5

V

GS （ TH）

[V]

4

6

I

D

[A]

→

I

D

[A]

→

T

ch

[°C]

→

典型的电容

C = F（V

DS

); V

GS

= 0V ; F = 1MHz的

典型栅极电荷特性

V

GS

= F量（Qg ） ;我

D

=30A

反向二极管的正向特性

I

F

= F（V

SD

） ;为80μs脉冲试验; V

GS

=0V

↑

C [ nF的]

↑

V

DS

[V]

↑

V

GS

[V]

↑

I

F

[A]

7

8

9

V

DS

[V]

→

QG [ NC ]

→

V

SD

[V]

→

功耗

P

D

= F（ Tc）的

安全工作区

I

D

= F（V

DS

）： D = 0.01 ， TC = 25℃

Z

TH（ CH-C ）

〔 K / W〕

↑

瞬态热阻抗

Z

thch -C

= F（ t）的参数：D = T / T

↑

P

D

[W]

10

↑

I

D

[A]

12

T

ch

[°C]

→

V

DS

[V]

→

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