数据表
MOS场效应
2SK2411 ， 2SK2411 -Z
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2411是N沟道MOS场效应晶体管设计的
用于高速开关应用。
3.0 ±0.3
包装尺寸
（以毫米）
10.6
马克斯。
10.0
5.9
分钟。
12.7
分钟。
15.5
马克斯。
3.6 ±0.2
4.8
马克斯。
1.3 ±0.2
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 40 mΩ以下。 （ @ V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A)
R
DS(on)2
= 60 mΩ以下。 （ @ V
GS
= 4 V，I
D
= 15 A)
4
1.3 ±0.2
0.75 ±0.1
2.54
1 2 3
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1500 pF的典型。
内置G -S门保护二极管
高雪崩能力评级
质量等级
标准
请参考"Quality等级NEC半导体Devices" （文档
数IEI - 1209 ）由NEC公司公布的了解
质量等级的器件和推荐应用规范
系统蒸发散。
6.0
马克斯。
0.5 ±0.2
2.8 ±0.2
2.54
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
JEDEC ： TO- 220AB
MP -25（ TO-220 ）
(10.0)
4
4.8
马克斯。
8.5 ±0.2
1.3 ±0.2
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 C)
总功率耗散（T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
60
±20
±30
±120
75
1.5
150
30
90
V
V
A
A
W
°C
A
mJ
W
1.0
±
0.5
1.5
马克斯。
1.4 ±0.2
1.0 ±0.3
(2.54) (2.54)
1 2 3
1.1 ±0.4
3.0 ±0.5
R)
.5 )
(0 .8R
(0
0.5 ±0.2
-55到+150
°C
MP- 25Z （表面贴装）
漏
2.8 ±0.2
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
→
0
门
体
二极管
栅极保护
二极管
来源
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件D13398EJ1V0DS00 （第1版）
（上一页第TC- 2492 ）
发布日期1998年3月 CP （ K）
日本印刷
1994
2SK2411 ， 2SK2411 -Z
电气特性（T
A
= 25
°
C)
特征
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
1500
720
190
20
260
130
150
50
5.0
15
1.1
110
320
1.0
15
分钟。
典型值。
31
40
1.5
27
10
±10
马克斯。
40
60
2.0
单位
m
m
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A
V
GS （ ON）
= 10 V
V
DD
= 30 V
R
G
= 10
I
D
= 30 A
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
的di / dt = 100 A /
s
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
测试电路2开关时间
D.U.T.
D.U.T.
R
G
= 25
PG
V
GS
= 20 V
→
0
I
AS
I
D
V
DD
BV
DSS
50
L
PG 。
V
DD
V
GS
0
V
DS
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
起始物为
ch
R
G
R
G
= 10
R
L
V
GS
WAVE
形式
V
GS
10 %
0
V
GS （上）
90 %
V
DD
I
D
WAVE
形式
I
D
10 %
0
t
D（上）
90 %
90 %
I
D
10 %
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
2
QQ：2880707522 复制
