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动力F- MOS场效应管
2SK2375
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
单位：mm
15.5±0.5
4.5
φ3.2±0.1
10.0
3.0±0.3
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路，一个马达
q
控制设备
q
开关电源
5
26.5±0.5
5
23.4
22.0±0.5
2.0 1.2
5
18.6±0.5
5
5
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
900
±30
±8
±16
60
100
3
150
55
+150
单位
V
V
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
5.45±0.3
5.5±0.3
5
1
2
3
A
A
mJ
W
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
TOP- 3E套餐
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 1.9mH ，我
L
= 8A ， 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D（上）
t
r
t
f
t
D（关闭）
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
V
DD
= 200V ，我
D
= 4A
V
GS
= 10V ，R
L
= 50
条件
V
DS
= 720V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 25V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
DS
= 25V ，我
D
= 4A
I
DR
= 8A ，V
GS
= 0
1800
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
200
90
30
70
80
250
1.25
41.67
3
900
2
1.3
5.5
1.6
5
1.7
民
典型值
最大
100
±1
单位
A
A
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间（延迟时间）
上升时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
2.0
1
动力F- MOS场效应管
安全操作区（ ASO ）
100
120
2SK2375
P
D
Ta
允许功耗P
D
(W)
(1) T
C
= TA
（2）不带散热片
(P
D
=3W)
7
V
DS
=25V
6
T
C
=150C
I
D
V
GS
非重复脉冲
T
C
=25C
30
I
DP
10
I
D
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
t=100s
5
80
(1)
60
4
3
1ms
10ms
100ms
3
1
40
2
150C
100C
25C
0C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.3
DC
20
(2)
1
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta （C ）
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
th
T
C
6
70
V
DS
=25V
I
D
=1mA
5
V
DS
V
GS
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
)
5
T
C
=25C
R
DS （ ON）
I
D
V
GS
=10V
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极阈值电压V
th
(V)
60
4
T
C
=150C
3
100C
2
25C
1
0C
50
I
D
=16A
4
40
3
30
2
20
8A
10
4A
2A
1
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
案例温度T
C
(C)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
| Y
fs
|
I
D
输入电容（共源） ，输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
（PF ）
6
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
600
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
f
, t
D（关闭）
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25C
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
V
DS
=25V
5
25C
100C
开关时间t
on
,t
f
,t
D（关闭）
（纳秒）
T
C
=0C
3000
C
国际空间站
500
4
1000
400
3
150C
2
300
300
t
D（关闭）
200
t
on
100
t
f
100
C
OSS
C
RSS
1
30
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
10
12
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
2
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20003
2N910
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21-0043
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2SK543-5
20A250G
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2406-6113TB
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24C02C-EST
24C02CEST
253A154C50NA
2SK2809-01MR
27C256-10/SO
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