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订购数量： EN5415A
N沟道MOSFET硅
2SK2348
高压，高速
切换应用程序
特点
低导通电阻，超高速切换。
·可靠性高（采用HVP过程） 。
包装尺寸
单位：mm
2131-TO-3JML
[2SK2348]
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
条件
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 3JML
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
评级
1200
±30
14
28
4.6
160
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
D-S间的击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极至源泄漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源
导通状态电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 1200V ， VGS = 0
VGS = ± 30V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 20V ，ID = 7A
ID = 7A ， VGS = 10V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
评级
民
1200
典型值
最大
1.0
±100
3.5
6.0
1.0
3000
500
250
1.5
单位
V
mA
nA
V
S
pF
pF
pF
1.5
3.0
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
72597TS （ KOTO ） TA- 1033 No.5415-1 / 4
2SK2348
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
VSD
TRR
条件
评级
民
典型值
45
180
850
230
0.75
最大
单位
ns
ns
ns
ns
V
s
ID = 7A ， VGS = 10V ，
VDD = 200V ， RGS = 50Ω
IS = 14A ， VGS = 0
IS = 14A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
1.5
开关时间测试电路
10
I
D
- V
DS
6V
20
I
D
- V
DS
=1
0V
6V
5V
漏电流，我
D
– A
漏电流，我
D
– A
S
=
10
V
V
8
16
GS
4.5V
6
V
G
12
5V
4V
4
8
2
3.5V
4V
4
3V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
10
20
30
40
3V
50
漏极至源极电压，V
DS
– V
25
漏极至源极电压，V
DS
– V
25
I
D
- V
GS
V
DS
= 20V
I
D
- 锝
V
的s
= 10V
Tc=-25°C
20
20
漏电流，我
D
– A
25°C
15
漏电流，我
D
– A
15
V
D
S
=
75°C
10
20
V
10
10V
5
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
-80
-40
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
外壳温度，TC -
°C
0
40
80
120
160
No.5415-2/4
2SK2348
4.0
3.6
V
GS （ OFF ）
- 锝
V
DS
=10V
I
D
=1mA
3
2
SW时间 - 我
D
吨D（关闭）
V
DD
=200V
V
GS
=10V
P.W. = 1μs的时间
D.C.≤0.5%
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
切换时间， SW时间 - NS
截止电压，V
GS （ OFF ）
– V
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7 0.1
2
3
5
tf
tr
吨D（上）
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
外壳温度，TC -
°C
2.0
漏电流，我
D
– A
I
D
=7A
Tc=25°C
2.8
R
DS （ ON）
- V
GS
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （
on
)
–
R
DS （ ON）
- 锝
I
D
=7A
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （
on
)
–
1.8
1.6
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
-80
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
V
=
DS
V
10
V
20
2
4
6
栅极 - 源
3
10
电压，V
GS
–
8
12
14
-40
V
TC = 25℃
3
外壳温度，TC -
°C
0
40
80
120
160
| y
F小号
| - I
D
正向转移导纳， | Y
fs
| – S
| y
F小号
| - I
D
V
S
=20V
V
的s
=10V
正向转移导纳， | Y
fs
| – S
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
25
°
C
V
DS
=10V
20V
–
TC =
25
°
C
C
75
°
7 10
2
3
漏电流，我
D
– A
2
10000
7
漏电流，我
D
– A
V
的s
=0
f=1MHz
5
西塞，科斯，的Crss - V
DS
这么说
10s
西塞，科斯，的Crss - pF的
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
漏电流，我
D
– A
西塞
,,,,,,,,
I
D
,,,,,,,,
,,,,,,,,
10
,,,,,,,,
7
,,,,,,,,
5
,,,,,,,,
3
2
1.0
在这一领域
7
由R有限公司
DS
（上） 。
5
3
2
0.1
TC = 25℃
7
单脉冲
5
2
3
10
I
3
DP
2
10
0
s
1m
10
10
ms
0m
s
DC
op
er
ATI
科斯
on
CRSS
0
4
8
12
16
20
24
28
32
5
7 100
2
3
5
7 1000
2
漏极至源极电压，V
DS
– V
漏极至源极电压，V
DS
– V
No.5415-3/4
2SK2348
5
P
D
- TA
允许功耗，P
D
– W
200
P
D
- 锝
允许功耗，P
D
– W
4.6
4
160
3
No
he
at
120
罪
k
2
80
1
40
0
0
20
环境温度，钽 -
°C
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
外壳温度，钽 -
°C
60
80
100
120
140
160
没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，
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No.5415-4/4
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2SK529
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25AA128T-I/ST
28C64A-25TS
2SB0790Q
295T820F103A21
212U10N320RD2
2SA1571
2SK3161
2SA1037AKRLT1
2N1358
20020107-G061A01LF
2SC5083N
200MXY270M20X30
233-206
233001
296UB252C3C
29-11-0113
212U01N320FN1
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    2SK2348
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电话：021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
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