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动力F- MOS场效应管
2SK2326
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
单位:mm
4.6±0.2
φ3.2±0.1
9.9±0.3
2.9±0.2
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
15.0±0.3
4.1±0.2 8.0±0.2
浸焊
3.0±0.2
13.7
–0.2
+0.5
1.2±0.15
1.45±0.15
0.75±0.1
2.54±0.2
5.08±0.4
1 2 3
2.6±0.1
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
600
±30
±5
±10
62.5
50
2
150
55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
7
1 :门
2 :排水
3 :源
TO- 220E包
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5mH ,我
L
= 5A, 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
f
t
D(关闭)
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
V
DD
= 200V ,我
D
= 3A
V
GS
= 10V ,R
L
= 66.6
条件
V
DS
= 480V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 25V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 3A
V
DS
= 25V ,我
D
= 3A
I
DR
= 5A ,V
GS
= 0
1300
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
130
40
20
35
50
150
2.5
62.5
1.7
600
2
1
2.8
1.6
5
1.5
典型值
最大
100
±1
单位
A
A
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间(延迟时间)
上升时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1
动力F- MOS场效应管
安全操作区( ASO )
100
30
10
3
1
0.3
DC
0.1
0.03
0.01
1
10
100
1000
10ms
100ms
I
DP
I
D
t=100s
1ms
60
2SK2326
P
D
Ta
允许功耗P
D
(W)
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
D
=3W)
10
IAS最大。
IAS
L-负荷
T
C
=25C
非重复脉冲
T
C
=25C
雪崩电流IAS ( A)
50
3
62.5mJ
漏电流I
D
(A)
40
(1)
30
1
0.3
20
0.1
10
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.03
0.01
0.1
0.3
1
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta (C )
L型负载(毫亨)
I
D
V
GS
V
DS
=25V
R
DS ( ON)
I
D
漏源导通电阻R
DS ( ON)
(
)
2.5
5
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
V
GS
=10V
V
DS
=25V
T
C
=0C
4
25C
100C
3
10
8
2.0
T
C
=100C
漏电流I
D
(A)
T
C
=100C
6
1.5
25C
1.0
0C
4
25C
0C
2
2
0.5
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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T
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MAT
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