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2SK2315
硅N沟道MOS FET
REJ03G1006-0200
(上一个: ADE- 208-1354 )
Rev.2.00
Sep.07,2005
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
2.5V的栅极驱动器可以驱动从3V的源。
适合用于DC-DC转换器,电动机驱动器,电源开关,螺线管驱动
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
3
2 1
G
4
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
注意:
标记为“ TY ”
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
Rev.2.00 2005年9月7日第1页5
2SK2315
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1 %
2.当使用的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7mm)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
2
4
2
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
on
t
关闭
60
±20
0.5
1.5
典型值
0.4
0.35
1.8
173
85
23
21
85
最大
±5
5
1.5
0.6
0.45
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A,V
GS
= 3 V*
3
I
D
= 1 A,V
GS
= 4 V*
3
I
D
= 1 A,V
DS
= 10 V*
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 1 ,R
L
= 30
,
V
GS
= 10 V
Rev.2.00 2005年9月7日第2页5
2SK2315
主要特点
功率与温度降额
信道损耗P沟** (W)的
( **在almina陶瓷板)
1.6
5
100
s
最高安全工作区
I
D
(A)
2
1
0.5
PW
1
1.2
=
m
s
10
m
漏电流
s
D
C
0.8
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
O
pe
TIO
ra
n
0.4
TA = 25°C
1次脉冲
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0
50
100
150
200
0.005
0.2
环境温度
的Ta (℃)
(
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
5
5
10 V
5V
4V
3.5 V
TA = 25°C
脉冲测试
3V
典型的传输特性
I
D
(A)
4
I
D
(A)
4
TC = 75℃
25°C
–25°C
漏电流
2
2.5 V
漏电流
3
3
2
1
2V
V
GS
= 1.5 V
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
1.0
脉冲测试
TA = 25°C
5
2
1
0.5
静态漏极至源极通电阻
与漏电流
0.8
TA = 25°C
25°
脉冲测试
0.6
I
D
= 2 A
V
GS
= 3 V
0.4
1A
0.2
0.5 A
10 V
0.2
0.1
0.05
0.1
0
4
8
12
16
20
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5
2SK2315
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
1.0
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳| YFS | ( S)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
10
5
2
1
0.5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.8
I
D
= 2 A
0.6
V
GS
= 3 V
TC = -25°C
25°C
75°C
1A
0.4
0.5 A
0.2
0
–40
V
GS
= 10 V
1A
0.5 A
I
D
= 2 A
0.2
0.1
0.1
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1
2
5
10
外壳温度
Tc
(
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
DS
(V)
1000
100
动态输入特性
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
V
GS
20
电容C (PF )
西塞
100
科斯
80
16
漏源极电压
60
V
DS
12
CRSS
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
40
I
D
= 2 A
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
8
20
4
0
10
1
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷
QG ( NC )
开关特性
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
200
5
脉冲测试
4
开关时间t( NS )
100
TD (关闭)
50
tf
tr
3
10 V
2
5V
V
GS
= 0
20
10
5
TD (上)
2
0.05
V
GS
= 10 V , PW = 2
s
V
DD
= 30V,占空比< 1 %
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏电流
I
D
(A)
源极到漏极电压
V
SD
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第4
栅极至源极电压
V
GS
(V)
2SK2315
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-62
瑞萨代码
PLZZ0004CA-A
包名称
UPAK / UPAKV
质量[典型值]
0.050g
单位:mm
4.5 ± 0.1
1.5 1.5
3.0
订购信息
部件名称
2SK2315TYTL-E
2SK2315TYTR-E
QUANTITY
1000件
1000件
TAPING
TAPING
中海集装箱
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年9月7日第5
0.8分钟
0.44最大
(0.4)
0.53最大
0.48最大
(2.5)
φ
1
2.5 ± 0.1
4.25最大
0.4
1.8最大
1.5 ± 0.1
0.44最大
(1.5)
(0.2)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88917652分机801-83200050
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联系人:李
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联系人:朱
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