2SK2173
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
2
2SK2173
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 13毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 40 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
50
200
125
683
50
12.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16C1B
重4.6克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.0
50
单位
C / W
C / W
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 25 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 371
μH,
R
G
= 25
,
I
AR
= 50 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2006-11-17
2SK2173
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
2
2SK2173
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 13毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 40 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8 2.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
50
200
125
683
50
12.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-65
2-16C1B
JEITA
东芝
重4.6克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和可靠性
的方法“），并从个人数据的可靠性（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.0
50
单位
C / W
C / W
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 25 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 371
μH,
R
G
= 25
,
I
AR
= 50 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2009-12-09
2SK2173
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
48 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 4 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 25 A
民
—
—
60
0.8
—
—
28
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
19
13
40
3350
550
1600
25
最大
±10
100
—
2.0
25
17
—
—
—
—
—
pF
单位
μA
μA
V
V
m
S
开启时间
开关时间
下降时间
—
55
—
ns
—
60
—
关断时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
—
—
—
—
180
110
70
40
—
—
—
—
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
—
—
I
DR
= 50 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 50 A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 50 A /
μs
民
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
120
0.2
最大
50
200
1.7
—
—
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
K2173
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
2
2009-12-09
2SK2173
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
2
2SK2173
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
=
13
毫欧（典型值）。
: |Y
fs
| = 40 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
50
200
125
683
50
12.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16C1B
重4.6克（典型值）
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.0
50
单位
C / W
C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ： V
DD
= 25 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 371 μH ，R
G
= 25
,
I
AR
= 50 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。
请谨慎操作。
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2002- 07- 22
QQ：2881677436 复制
