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2SK2085

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器

概要

TO-92国防部

3

D

G

21

1.源

2.漏

3.门

S

2SK2085

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

100

±20

1.0

4.0

1.0

0.9

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

°C

°C

2

2SK2085

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

100

±20

—

—

1.0

—

—

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

0.7

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

0.6

0.75

1.2

130

50

12

7

6.5

55

20

0.85

80

最大

—

—

±10

100

2.0

0.9

1.35

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

I

F

= 1.0 A，V

GS

= 0

I

F

= 1.0 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 80 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 4 V*

1

I

D

= 0.5 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 60

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

3

2SK2085

功率与温度降额

1.6

P沟（W）的

I

D

(A)

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

10

10

s

0

s

1

最高安全工作区

1.2

PW

散热通道

漏电流

0.8

DC

操作

Op

这个区域是

er

限于由R

DS （ ON）

a

m

s

=

10

(1 m

SH s

ot

)

TIO

n

0.4

TA = 25°C

0.3

1

3

10

30

100 200

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

0.001

0.1

环境温度

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

5

6V

8V

典型的传输特性

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

脉冲测试

4V

(A)

3.5 V

I

D

漏电流

3V

2.5 V

V

GS

= 2 V

I

D

(A)

4

5V

10 V

4

3

漏电流

3

2

2

–25 °C

TC = 25℃

75 °C

1

1

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

V

GS

(V)

5

4

2SK2085

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

1.0

静态漏极至源极通电阻

与漏电流

2

脉冲测试

1

V

GS

= 4 V

10 V

0.8

1A

0.6

0.5

0.4

0.5 A

I

D

= 0.2 A

0.2

0.2

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.1

0.1

0.2

0.5

1

2

漏电流I

D

(A)

5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

2.0

脉冲测试

1.6

0.2 A

0.5 A

I

D

=1A

V

GS

= 4 V

1A

0.5 A

0.2 A

10 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

10

5

TC = -25°C

25 °C

75 °C

2

1

0.5

1.2

0.8

0.4

0

–40

0.2

0.1

0.05 0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.2

0.5

1

2

5

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

5

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