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2SK208
东芝场效应晶体管
硅N沟道结型
2SK208
通用和阻抗转换器和
电容式麦克风的应用
高击穿电压: V
GDS
=
50
V
高输入阻抗:我
GSS
=
1.0
nA的(最大) (Ⅴ
GS
=
30
V)
低噪声(典型值) NF = 0.5分贝(R
G
= 100 kΩ的, F = 120赫兹)
小包装。
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDS
I
G
P
D
T
j
T
英镑
等级
50
10
100
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
注意:
重负载下连续使用(例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障
率等)。
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1B
重0.012克(典型值)
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极截止电流
栅极 - 漏极击穿电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
噪声系数
符号
I
GSS
V
( BR ) GDS
I
DSS
(注)
V
GS (关闭)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF
测试条件
V
GS
= 30
V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
= 100 μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.1
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
GD
= 10
V,I
D
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
15 V, V
GS
=
0
R
G
=
100 kΩ的,女
=
120赫兹
50
0.3
0.4
1.2
典型值。
8.2
2.6
0.5
最大
1.0
6.5
5.0
单位
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
dB
注:我
DSS
分类
R: 0.30 0.75毫安,O: 0.60 1.40毫安, Y: 1.2 3.0毫安, GR : 2.6 6.5毫安
记号
1
2007-11-01
2SK208
2
2007-11-01
2SK208
3
2007-11-01
2SK208
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半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
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请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
4
2007-11-01
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2SK208-R
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30000
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TOSHIBA/东芝
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23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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