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2SK2072-01L,S
FAP -IIA系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
雪崩证明
N沟道MOS - FET的
800V
2,1
6A
80W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=20K)
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
800
800
6
24
±30
80
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
V
W
°C
°C
＆ GT ;等效电路
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
连续反向漏电流
脉冲反向漏电流
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
I
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
DR
DRM
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=800V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=3A
V
GS
=10V
I
D
=3A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
分钟。
800
2,5
典型值。
3,0
10
0,2
10
1,7
6,5
1200
120
40
25
25
85
45
马克斯。
3,5
500
1,0
100
2,1
1800
180
60
40
40
130
70
6
24
1,6
3
6
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
1,1
400
1,5
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
A
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
125
1,56
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体公司 - P.O.专栏702708 - 达拉斯，德克萨斯 - 75370 - 972-233-1589 - 传真972-233-0481 - http://www.collmer.com
N沟道MOS - FET的
800V
2,1
2SK2072-01L,S
FAP -IIA系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
6A
80W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
I
D
[A]
1
↑
R
DS （ ON）
[]
2
↑
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
典型正向跨导与我
D
栅极阈值电压与T
ch
↑
R
DS （ ON）
[]
4
↑
g
fs
[S]
5
↑
V
GS （ TH）
[V]
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
典型输入充电
反向二极管的正向特性
↑
C [ nF的]
7
↑
V
DS
[V]
8
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
9
V
DS
[V]
→
Q
g
[ NC ]
→
V
SD
[V]
→
允许功耗与T
C
安全工作区
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
11
T
c
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
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270M31400
2SK2312_02
200HF120MV
2N398
2SD2136
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型号
厂家
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封装
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操作
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    -
    -
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