【SMD型硅N沟道MOSFET2SK2059SICMOSFET特点低导通电阻高速开关无二次击穿+0.2】,IC型号2SK2059S,2SK2059S PDF资料,2SK2059S经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

硅N沟道MOSFET

2SK2059S

MOSFET

特点

低导通电阻

高速开关

无二次击穿

+0.2

9.70

-0.2

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

1门

2漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

英镑

等级

600

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

DSS

GSS

Testconditons

=500V,V

= 25V,V

2.0

1.2

2.0

3.8

295

=10V,V

=0,f=1MHZ

=1A,V

GS （ ON）

=10V,R

=30

5.0

民

典型值

最大

100

3.0

单位

GS （ OFF ）

=10V,I

=1mA

=10V,I

=10A

DS （ ON）

=10V,I

=1A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

www.kexin.com.cn

2SK2059 （L） 2SK2059 （S）

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

无二次击穿

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器

概要

DPAK-1

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2 3

2SK2059 （L） 2SK2059 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

600

±30

150

-55到+150

单位

°C

2SK2059 （L） 2SK2059 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

600

±30

—

2.0

—

1.2

—

典型值

—

3.8

2.0

295

0.9

220

最大

—

±10

100

3.0

5.0

—

单位

= 3 A，V

= 0

= 3A ，V

= 0,

/ DT = 100 A /

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±25

V, V

= 0

=500 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 1A

= 10 V*

= 1A

= 10 V*

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 1A

= 10 V

= 30

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

2SK2059 （L） 2SK2059 （S）

功率与温度降额

P沟（W）的

最高安全工作区

漏电流I

(A)

0.3

0.1

0.03

0.01

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

100 300 1,000

漏极至源极电压V

(V)

TA = 25°C

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

散热通道

TIO

)

升SE

°C

)

典型的输出特性

脉冲测试

漏电流I

(A)

4.5 V

10 V

漏电流I

(A)

典型的输出特性

= 20 V

脉冲测试

= –25°C

25°C

75°C

3.5 V

= 3 V

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

2SK2059 （L） 2SK2059 （S）

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

15 V

0.5

0.05 0.1

= 10 V

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

= 2 A

0.5 A

栅极至源极电压V

(V)

0.2

0.5

漏电流I

(A)

静态漏源导通状态

电阻与温度

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

= 10 V

脉冲测试

0.5 A

= 2 A

正向转移导纳

yfs

(S)

正向转移导纳

与漏电流

= 20 V

脉冲测试

0.5

= 25°C

25°C

75°C

0.2

0.1

0.05

0.05 0.1

–40

120

案例温度T

(°C)

160

0.2

0.5

漏电流I

(A)

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SK2059S

特点

低导通电阻

高速开关

无二次击穿

+0.2

9.70

-0.2

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

1门

2漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

英镑

等级

600

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

DSS

GSS

Testconditons

=500V,V

= 25V,V

2.0

1.2

2.0

3.8

295

=10V,V

=0,f=1MHZ

=1A,V

GS （ ON）

=10V,R

=30

5.0

民

典型值

最大

100

3.0

单位

GS （ OFF ）

=10V,I

=1mA

=10V,I

=10A

DS （ ON）

=10V,I

=1A

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