【2SK2007硅N沟道MOS FETREJ03G0991-0200（上一个： ADE- 208-13】,IC型号2SK2007,2SK2007 PDF资料,2SK2007经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2007

硅N沟道MOS FET

REJ03G0991-0200

（上一个： ADE- 208-1339 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器，电机控制

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

1

2

S

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK2007

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

20

80

20

100

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

250

±30

—

2.0

—

9.0

—

典型值

—

0.12

14

2340

1000

160

30

125

190

100

1.2

120

最大

—

±10

250

3.0

0.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100

μA ，V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

=200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V*

3

I

D

= 10 A，V

DS

= 10 V*

3

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 3

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK2007

主要特点

功率与温度降额

150

100

30

1

最高安全工作区

10

0

10

通道耗散P沟（W）的

s

漏电流I

D

(A)

PW

m

s

100

10

3

1

0.3

=

O

pe

ra

TIO

n

(T

操作在此

c

=

面积有限

25

°

C

由R

DS （ ON）

)

D

C

10

m

s

(1

ot

sh

)

50

TA = 25°C

0.1

0

50

100

150

1

3

10

30

100 300 1000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

40

30

20

10

V

GS

= 4 V

典型的传输特性

50

10 V

8V

脉冲测试

V

DS

= 10 V

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

6V

40

30

20

10

脉冲测试

5.5 V

5V

–25°C

TC = 25°C

75°C

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

5

4

3

2

1

20 A

10 A

I

D

= 5 A

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

2

1

0.5

V

GS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.2

0.1

15 V

0.05

1

2

5

10

20

50

100

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK2007

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

0.4

0.3

I

D

= 20 A

0.2

0.1

0

–40

5A

10 A

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

100

–25°C

30

10

3

1

0.3

0.1

75°C

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = 25°C

脉冲测试

0

40

80

120

160

0.3

1

3

10

30

100

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

50

20

10

5

0.5

1

2

5

10

20

50

0

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

西塞

1000

科斯

100

V

GS

= 0

CRSS

F = 1 MHz的

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

500

I

D

= 20 A

开关特性

20

16

12

8

500

400

300

200

100

0

V

DD

= 50 V

100 V

200 V

开关时间t（ NS ）

200

100

50

20

10

5

0.5

tr

TD （关闭）

tf

TD （上）

V

DD

= 200 V

100 V

50 V

20

40

60

80

4

0

100

:

V

GS

= 10 V,

V

DD

=30 V

PW = 5

S，值班

＆ LT ;

1%

=

1

2

5

10

20

50

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK2007

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

反向漏电流I

DR

(A)

40

脉冲测试

30

20

10

10 V

V

GS

= 0, –5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

1.0

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

T

C

= 25°C

0.1

0.05

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 1.25 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

1

D = PW

T

0.02

0.03

0.01

脉冲

热

1S

T

1m

10 m

100 m

0.01

10

100

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

VIN

10%

波形

90%

R

L

50

VIN

10 V

V

DD

.

= 30 V

.

VOUT

10%

90%

t

D（关闭）

10%

t

D（上）

t

r

t

f

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

2SK2007

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器，电机控制

概要

TO-3P

D

G

1

2

3

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

2SK2007

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

20

80

20

100

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK2007

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

250

±30

—

2.0

—

9.0

—

典型值

—

0.12

14

2340

1000

160

30

125

190

100

1.2

120

最大

—

±10

250

3.0

0.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

=200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 10 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 3

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK2007

功率与温度降额

150

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

最高安全工作区

100

30

1

10

0

10

s

PW

m

s

100

10

3

1

0.3

=

O

pe

ra

TIO

n

(T

操作在此

c

=

面积有限

25

°C

由R

DS

（上）

)

D

C

10

s

m

(1

o

sh

t)

50

TA = 25°C

0.1

0

50

100

150

1

3

10

30

100 300 1000

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

40

30

20

10

V

GS

= 4 V

0

4

8

12

16

20

0

10 V

8V

50

脉冲测试

漏电流I

D

( A )

6V

40

30

20

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

5.5 V

5V

–25°C

TC = 25°C

75°C

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

4

2SK2007

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS

（上）（V）的

5

4

3

2

1

20 A

10 A

I

D

= 5 A

脉冲测试

静态漏源导通状态

电阻R

DS

（上）（

)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

2

1

0.5

V

GS

= 10 V

0.2

0.1

15 V

0.05

0

4

8

12

16

20

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

静态漏源导通状态

电阻R

DS

（上）（

)

0.4

0.3

I

D

= 20 A

0.2

0.1

0

–40

5A

10 A

V

GS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

| YFS | （ S）

100

正向转移导纳

与漏电流

–25°C

30

10

3

1

0.3

0.1

75°C

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = 25°C

0

40

80

120

160

0.3

1

3

10

30

100

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

5