【2SK1880 （L） 2SK1880 （S）硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高】,IC型号2SK1880,2SK1880 PDF资料,2SK1880经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

无二次击穿

适用于开关稳压器

概要

DPAK-1

4

1

D

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

2

3

2 3

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

600

±30

1.5

3.0

1.5

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

600

±30

—

2.0

—

0.85

—

典型值

—

6.5

1.4

250

55

8

10

25

35

30

0.95

350

最大

—

±10

100

3.0

8.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

s

I

F

= 1.5 A，V

GS

= 0

I

F

= 1.5 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 1 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 1 A

V

DS

= 20 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 1 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

功率与温度降额

30

通道耗散P沟（W）的

10

漏电流I

D

(A)

3

1

O

AR PE

由EA鼠

R是离子

DS

在LIM

（O ITE日

N）， d为

10

最高安全工作区

10

0

s

20

1

PW

=

O

pe

ra

TIO

n

DC

m

s

10

s

m

0.3

0.1

0.03

(1

o

sh

10

(T

c

t)

=

25

°C

)

TA = 25°C

1

3

10 300 1000

0

50

100

150

0.01

0.1 0.3

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

2.0

5V

漏电流I

D

(A)

1.6

1.2

0.8

0.4

4V

10 V

脉冲测试

漏电流I

D

( A )

4.5 V

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

典型的传输特性

脉冲测试

V

DS

= 20 V

V

GS

= 3.5 V

75°C

TC = 25°C

–25°C

0

10

20

30

40

50

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

4

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS

（上）（V）的

脉冲测试

16

12

8

4

I

D

= 1.5 A

静态漏源导通状态

电阻R

DS

（上）（

)

20

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

100

50

20

10

5

2

1

0.05 0.1 0.2

V

GS

= 10 V

脉冲测试

1A

0.5 A

0

4

8

12

16

20

0.5

1

2

5

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏源导通状态

电阻与温度

20

静态漏源导通状态

电阻R

DS

（上）（

)

正向转移导纳

| YFS | （ S）

16

12

I

D

= 1 A

8

0.5 A

4

5

2

1

0.5

正向转移导纳

与漏电流

脉冲测试

V

DS

= 20 V

TC = -25°C

75°C

0.2

0.1

0.05

0.02 0.05 0.1 0.2

25°C

–40

0

40

80

120

160

0.5

1

2

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

5

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

硅N沟道MOS FET

REJ03G0983-0200

（上一个： ADE- 208-1331 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

无二次击穿

适用于开关稳压器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A

（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ））

4

D

4

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

1

2

3

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页7

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

PCH *

总胆固醇

2

1

评级

600

±30

1.5

3.0

1.5

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

600

±30

—

2.0

—

0.85

—

典型值

—

6.5

1.4

250

55

8

10

25

35

30

0.95

350

最大

—

±10

100

3.0

8.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V*

I

D

= 1 A，V

DS

= 20 V*

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 30

3

I

F

= 1.5 A，V

GS

= 0

I

F

= 1.5 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 7

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

主要特点

功率与温度降额

30

10

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

3

PW

20

1

O

AR PE

由EA鼠

R是离子

李亦

D

S

（ MI N吨

在他的泰德

)

DC

10

s

0

s

1

m

s

0.3

0.1

0.03

10

O

pe

ra

TIO

n

=

10

s

m

(1

sh

)

ot

=

25

°

C

)

(T

c

TA = 25°C

0.3

1

3

10

300

1000

0

50

100

150

0.01

0.1

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

2.0

典型的传输特性

2.0

漏电流I

D

(A)

5V

漏电流I

D

(A)

1.6

1.2

0.8

0.4

脉冲测试

4.5 V

10 V

1.6

1.2

0.8

0.4

脉冲测试

V

DS

= 20 V

4V

V

GS

= 3.5 V

75°C

TC = 25°C

–25°C

0

10

20

30

40

50

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

100

50

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

16

12

8

4

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

脉冲测试

I

D

= 1.5 A

20

10

5

V

GS

= 10 V

1A

0.5 A

2

1

0.05 0.1

0.2

0.5

1

2

5

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

20

16

12

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

5

2

1

0.5

脉冲测试

V

DS

= 20 V

TC = -25°C

I

D

= 1 A

8

75°C

0.2

0.1

0.05

0.02

0.5 A

4

25°C

–40

0

40

80

120

160

0.05 0.1

0.2

0.5

1

2

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

反向恢复时间吨RR （ NS ）

5000

2000

1000

500

200

100

50

0.1

1

0.2

0.5

1

2

5

10

0

10

1000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0

TA = 25°C

脉冲测试

西塞

100

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

科斯

10

CRSS

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

500

1000

20

开关特性

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

税

≤

1 %

800

600

400

200

16

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

V

DS

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

4

8

12

16

开关时间t（ NS ）

I

D

= 1.5 A

V

GS

200

100

50

tf

20

10

5

0.1

tr

TD （上）

TD （关闭）

12

8

4

0

20

0

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

2SK1880 （L） 2SK1880 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

DR

(A)

2.0

脉冲测试

1.6

1.2

0.8

0.4

V

GS

= 10 V

0 V, –5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

TC = 25°C

1.0

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

t

笑

PUL

se

0.03

0.01

10

1

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 6.25 ° C / W。 TC = 25℃

PW

= T

P

DM

T

PW

0.01

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度PW （S ）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7