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2SK1869 （L） 2SK1869 （S）

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器

概要

LDPAK

1 2

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2SK1869 （L） 2SK1869 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°C

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

350

±30

150

-55到+150

单位

°C

2SK1869 （L） 2SK1869 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

350

±30

—

2.0

—

3.0

—

典型值

—

0.6

5.0

635

230

0.95

240

最大

—

±10

250

3.0

0.8

—

单位

= 7 A，V

= 0

= 7 A，V

= 0,

/ DT = 100 A /

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±25

V, V

= 0

=280 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 4 A

= 10 V*

= 4 A

= 10 V*

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 4 A

= 10 V

= 7.5

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

见2SK1400A特性曲线

单位：mm

10.2

0.3

(1.4)

4.44

0.2

1.3

0.2

0.3

10.0

+ 0.5

–

11.3

0.5

8.6

0.3

1.27

0.2

0.86

+ 0.1

–

0.76

0.1

2.54

0.5

11.0

0.5

1.2

0.2

2.59

0.2

2.54

0.5

0.4

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

LDPAK （L）的

—

1.4 g

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