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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第220页 > 2SK1838S
SMD型
硅N沟道MOSFET
2SK1838S
IC
MOSFET
TO-252
特点
低导通电阻
高速开关
+0.2
9.70
-0.2
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
适合switchingregulator ， DC-DC转换
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
无二次击穿
0.127
最大
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ，占空比
5%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
250
30
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压breadown
排水截止电流
栅极漏电流
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Y
fs
Testconditons
I
D
=10mA,V
GS
=0
I
D
= 100
A，V
DS
=0
民
250
30
100
10
0.3
0.5
5.5
60
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
30
5
5
I
D
=0.5A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=60
6
10
4.5
8.0
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
单位
V
V
A
A
S
V
DS
=200V,V
GS
=0
V
GS
= 25V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=0.5A
R
DS （ ON）
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
3
.8
0
低驱动电流
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
www.kexin.com.cn
1
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合switchingregulator ， DC-DC转换
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
1
2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
250
±30
—
—
2.0
0.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.5
5.5
60
30
5
5
6
10
4.5
0.96
160
最大
—
—
±10
100
3.0
—
8.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A,
R
L
= 60
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A *
1
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
功率与温度降额
20
最高安全工作区
10
P沟（W）的
3
10
15
1
DC
散热通道
10
0.3
0.1
10
0
1
=
m
s
O
10
pe
s
ra
m
TIO
s
(
n
(T
1 s
ho
c
=
25
t)
°C
)
漏电流I
D
(A)
PW
s
5
在这一领域
由R有限公司
DS
（上）
0.03
TA = 25°C
0
50
100
外壳温度
150
TC （ ℃）
200
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.0
8V
10 V
0.8
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.6
4.5 V
0.4
4V
0.2
V
GS
= 3.5 V
0
2
4
6
8
10
0
0.6
5V
6V
0.8
1.0
典型的传输特性
脉冲测试
V
DS
= 10 V
0.4
0.2
TC = 75℃
25°C
– 25°C
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
3
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
脉冲测试
关于国家静态漏源
电阻R
DS
（上）（
)
4
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
漏极至源极饱和电压
V
DS
（上） （V）的
20
10
5
3
0.5 A
2
0.2 A
1
I
D
= 0.1 A
2
1
0
4
8
12
16
20
0.5
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
静态漏源导通状态
电阻与Temperaure
25
5
正向转移导纳
与漏电流
关于国家静态漏源
电阻R
DS
（上）（
)
正向转移导纳
|y
fs
| (S)
20
脉冲测试
V
GS
= 10 V
脉冲测试
V
DS
= 10 V
2
1
TC = - 25℃
0.5
25°C
75°C
0.2
0.1
0.05
0.02
15
I
D
= 0.5 A
10
0.1 A
5
0.2 A
0
– 40
0
40
80
120
160
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
4
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
体漏二极管反向
恢复时间
1000
500
1000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
典型电容
与漏极至SORCE电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
200
100
50
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
20
10
0.05
100
西塞
科斯
10
CRSS
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
沥去Sourve电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
I
D
= 0.5 A
16
V
GS
300
V
DD
= 200 V
200
V
DS
100 V
50 V
8
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
400
20
100
50
开关特性
.
V
GS
= 10 V,V
DD
=
30 V
.
PW = 2
S，税1 ％
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关时间t（ NS ）
tf
20
10
TD （上）
5
tr
2
TD （关闭）
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
4
0
4
8
12
16
20
0
1
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷
Q
G（ NC ）
漏电流I
D
(A)
5
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0980-0300
Rev.3.00
2005年11月21日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A
（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ） ）
4
D
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
1
2
3
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
1
2
3
Rev.3.00 2005年11月21日第1页7
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)*1
I
DR
PCH
*2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
1
2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
250
±30
—
—
2.0
0.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.5
5.5
60
30
5
5
6
10
4.5
0.96
160
最大
—
—
±10
50
3.0
—
8.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A *
3
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A,
R
L
= 60
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
I
F
= 1 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2005年11月21日第2 7
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
主要特点
功率与温度降额
20
10
3
1
0.3
0.1
0.03
TA = 25°C
D
10
0
C
1
=
m
s
O
10
pe
s
ra
TIO
ms
(
n
(T
1 s
ho
c
=
25
t)
°
C
)
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
15
10
PW
s
10
5
在这一领域
由R有限公司
DS
（上）
0
50
100
150
200
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.0
8V
10 V
6V
5V
脉冲测试
典型的传输特性
1.0
脉冲测试
V
DS
= 10 V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.8
0.8
0.6
4.5 V
0.6
0.4
4V
0.4
0.2
V
GS
= 3.5 V
0.2
TC = 75℃
25°C
– 25°C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
4
20
10
5
3
0.5 A
2
0.2 A
2
1
0.5
0.02
1
I
D
= 0.1 A
0
4
8
12
16
20
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年11月21日第3页7
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
25
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
5
脉冲测试
V
DS
= 10 V
20
2
1
TC = - 25℃
15
I
D
= 0.5 A
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
25 C
75 C
10
0.1 A
5
0.2 A
0
– 40
0
40
80
120
160
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
1000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间吨RR （ NS ）
500
电容C （PF ）
200
100
50
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
100
西塞
科斯
10
CRSS
20
10
0.05
1
0
10
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
500
I
D
= 0.5 A
开关特性
20
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
GS
开关时间t（ NS ）
400
16
50
tf
TD （关闭）
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
300
V
DD
= 200 V
V
DS
100 V
50 V
12
20
10
5
200
8
TD （上）
tr
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
4
2
1
0.05
0
0
4
8
12
16
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年11月21日第4 7
2SK1838 （L） 2SK1838 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
1.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 10 V
0, – 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
TC = 25°C
1.0
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
tP
笑
ULSE
0.03
0.01
10
1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 12.5 ° C / W。 TC = 25℃
PW
= T
P
DM
T
PW
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
VIN
10 V
50
VIN
VOUT
10 %
波形
90 %
10 %
10 %
.
.
V
DD
=
30 V
90 %
TD （上）
tr
90 %
TD （关闭）
tf
Rev.3.00 2005年11月21日第5页7
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SK1838S
TO-252
特点
低导通电阻
高速开关
+0.2
9.70
-0.2
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
适合switchingregulator ， DC-DC转换
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
无二次击穿
0.127
最大
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ，占空比
5%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
250
30
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压breadown
排水截止电流
栅极漏电流
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Y
fs
Testconditons
I
D
=10mA,V
GS
=0
I
D
= 100
A，V
DS
=0
民
250
30
100
10
0.3
0.5
5.5
60
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
30
5
5
I
D
=0.5A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=60
6
10
4.5
8.0
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
单位
V
V
A
A
S
V
DS
=200V,V
GS
=0
V
GS
= 25V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=0.5A
R
DS （ ON）
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3
.8
0
低驱动电流
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
4008-318-123
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厂家
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