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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第369页 > 2SK1838
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
硅N沟道MOS FET
REJ03G0980-0300
Rev.3.00
2005年11月21日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器, DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -A
(包名称: DPAK ( L) - ( 1 ) )
4
D
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
1
2
3
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -C
(包名称: DPAK ( S) )
1
2
3
Rev.3.00 2005年11月21日第1页7
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)*1
I
DR
PCH
*2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
1
2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
|y
fs
|
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
250
±30
2.0
0.3
典型值
0.5
5.5
60
30
5
5
6
10
4.5
0.96
160
最大
±10
50
3.0
8.0
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A *
3
I
D
= 0.5 A ,V
GS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 A,
R
L
= 60
I
F
= 1 A,V
GS
= 0
I
F
= 1 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2005年11月21日第2 7
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
主要特点
功率与温度降额
20
10
3
1
0.3
0.1
0.03
TA = 25°C
D
10
0
C
1
=
m
s
O
10
pe
s
ra
TIO
ms
(
n
(T
1 s
ho
c
=
25
t)
°
C
)
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
15
10
PW
s
10
5
在这一领域
由R有限公司
DS
(上)
0
50
100
150
200
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.0
8V
10 V
6V
5V
脉冲测试
典型的传输特性
1.0
脉冲测试
V
DS
= 10 V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.8
0.8
0.6
4.5 V
0.6
0.4
4V
0.4
0.2
V
GS
= 3.5 V
0.2
TC = 75℃
25°C
– 25°C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
4
20
10
5
3
0.5 A
2
0.2 A
2
1
0.5
0.02
1
I
D
= 0.1 A
0
4
8
12
16
20
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年11月21日第3页7
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
25
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳
与漏电流
5
脉冲测试
V
DS
= 10 V
20
2
1
TC = - 25℃
15
I
D
= 0.5 A
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
25 C
75 C
10
0.1 A
5
0.2 A
0
– 40
0
40
80
120
160
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
1000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间吨RR ( NS )
500
电容C (PF )
200
100
50
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
100
西塞
科斯
10
CRSS
20
10
0.05
1
0
10
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
500
I
D
= 0.5 A
开关特性
20
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
GS
开关时间t( NS )
400
16
50
tf
TD (关闭)
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
1 %
300
V
DD
= 200 V
V
DS
100 V
50 V
12
20
10
5
200
8
TD (上)
tr
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
4
2
1
0.05
0
0
4
8
12
16
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年11月21日第4 7
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
1.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 10 V
0, – 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
TC = 25°C
1.0
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
tP
ULSE
0.03
0.01
10
1
θ
CH - C ( T) =
γ
S( T)
θ
CH - C
θ
CH - C = 12.5 ° C / W。 TC = 25℃
PW
= T
P
DM
T
PW
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
VIN
10 V
50
VIN
VOUT
10 %
波形
90 %
10 %
10 %
.
.
V
DD
=
30 V
90 %
TD (上)
tr
90 %
TD (关闭)
tf
Rev.3.00 2005年11月21日第5页7
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合switchingregulator , DC-DC转换
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
10
s,
占空比
1 %
2.价值在Tc = 25
°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
1
2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
250
±30
2.0
0.3
典型值
0.5
5.5
60
30
5
5
6
10
4.5
0.96
160
最大
±10
100
3.0
8.0
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A,V
GS
= 0
I
F
= 7 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 A,
R
L
= 60
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A *
1
I
D
= 0.5 A ,V
GS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
1.脉冲测试
V
GS ( OFF )
|y
fs
|
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
功率与温度降额
20
最高安全工作区
10
P沟(W)的
3
10
15
1
DC
散热通道
10
0.3
0.1
10
0
1
=
m
s
O
10
pe
s
ra
m
TIO
s
(
n
(T
1 s
ho
c
=
25
t)
°C
)
漏电流I
D
(A)
PW
s
5
在这一领域
由R有限公司
DS
(上)
0.03
TA = 25°C
0
50
100
外壳温度
150
TC ( ℃)
200
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.0
8V
10 V
0.8
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.6
4.5 V
0.4
4V
0.2
V
GS
= 3.5 V
0
2
4
6
8
10
0
0.6
5V
6V
0.8
1.0
典型的传输特性
脉冲测试
V
DS
= 10 V
0.4
0.2
TC = 75℃
25°C
– 25°C
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
3
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
脉冲测试
关于国家静态漏源
电阻R
DS
(上)(
)
4
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
漏极至源极饱和电压
V
DS
(上) (V)的
20
10
5
3
0.5 A
2
0.2 A
1
I
D
= 0.1 A
2
1
0
4
8
12
16
20
0.5
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
静态漏源导通状态
电阻与Temperaure
25
5
正向转移导纳
与漏电流
关于国家静态漏源
电阻R
DS
(上)(
)
正向转移导纳
|y
fs
| (S)
20
脉冲测试
V
GS
= 10 V
脉冲测试
V
DS
= 10 V
2
1
TC = - 25℃
0.5
25°C
75°C
0.2
0.1
0.05
0.02
15
I
D
= 0.5 A
10
0.1 A
5
0.2 A
0
– 40
0
40
80
120
160
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
壳温度( ° C)
漏电流I
D
(A)
4
2SK1838 (L) 2SK1838 (S)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
500
1000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
典型电容
与漏极至SORCE电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
200
100
50
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
20
10
0.05
100
西塞
科斯
10
CRSS
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
沥去Sourve电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
I
D
= 0.5 A
16
V
GS
300
V
DD
= 200 V
200
V
DS
100 V
50 V
8
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
400
20
100
50
开关特性
.
V
GS
= 10 V,V
DD
=
30 V
.
PW = 2
S,税1 %
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关时间t( NS )
tf
20
10
TD (上)
5
tr
2
TD (关闭)
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
4
0
4
8
12
16
20
0
1
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷
Q
G( NC )
漏电流I
D
(A)
5
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2418+
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