【2SK1772硅N沟道MOS FETREJ03G0971-0200（上一个： ADE- 208-13】,IC型号2SK1772,2SK1772 PDF资料,2SK1772经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1772

硅N沟道MOS FET

REJ03G0971-0200

（上一个： ADE- 208-1318 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器可以驱动从5V电源。

适合用于DC-DC转换器，电动机驱动器，电源开关，螺线管驱动

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

R

)

3

2 1

G

4

D

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

注意：

标记是"HY" 。

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1772

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

30

±20

1

2

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.当使用的氧化铝陶瓷板（ 12.5

×

20

×

0.7mm)

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

±20

—

1.0

—

0.6

—

典型值

—

0.4

0.6

1.0

85

65

20

10

15

40

30

1.2

30

最大

—

±10

50

2.0

0.6

0.85

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 1 A，V

GS

= 0*

I

F

= 1 A，V

GS

= 0,

3

di

F

/ DT = 50 A / μs的*

3

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 0.5 A ，V

GS

= 10 V*

3

I

D

= 0.5 A ，V

GS

= 4 V*

I

D

= 0.5 A ，V

DS

= 10 V*

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 0.5 A ，V

GS

= 10 V,

3

R

L

= 60

*

3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1772

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

1.6

信道功率耗散P沟道** （ W）

（ **在almina陶瓷板）

最高安全工作区

10

在这一领域是

限于由R

DS （ ON）

1.2

I

D

(A)

3

1

PW = 100

s

PW

=

1

D

PW

C

O

pe

ra

=

漏电流

0.8

0.3

0.1

0.03

0.01 TA = 25℃

0.1 0.3

1

10

m

s

m

s

TIO

n

0.4

0

50

100

150

200

3

10

30

100

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

2.0

10 V

4V

3.5 V

1.0

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

1.6

I

D

(A)

漏电流

5V

脉冲测试

3.0 V

0.8

1.2

0.6

75°C

0.4

TC = 25°C

–25°C

漏电流

0.8

2.5 V

0.4

V

GS

= 2 V

0

1

2

3

4

5

0.2

0

1

2

3

4

5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2.0

脉冲测试

10

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

脉冲测试

5

1.6

1.2

2A

1A

I

D

= 0.5 A

0

2

4

6

8

10

2

1

V

GS

= 4 V

0.5

10 V

0.2

0.1

0.05 0.1

0.2

0.5

1

2

5

0.8

0.4

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1772

静态漏源导通状态

电阻与温度

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2.0

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

5.0

2.0

TC = 25°C

1.0

0.5

75°C

–25°C

脉冲测试

1.6

1.2

2A

V

GS

= 4 V

1A

0.5 A

2A

V

GS

= 10 V

I

D

= 0.5 A, 1 A

80

120

160

0.8

0.2

0.1

0.05

0.02

0.05 0.1

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1.0

2.0

0.4

0

–40

0

40

外壳温度

T

C

(°C)

漏电流

I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

500

1000

的di / dt = 50A / μs的

V

GS

= 0

TA = 25°C

200

100

50

典型的电容与漏极至

源极电压

（PF ）

电容

C

100

西塞

科斯

CRSS

20

10

5

0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

10

20

30

40

50

1

0

反向漏电流

I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

50

开关特性

20

500

V

GS

= 10 V

V

DD

= 30 V

PW = 2

s

税

≤

1 %

tf

TD （关闭）

I

D

= 1 A

V

GS

T（ NS ）

开关时间

40

V

DD

= 5 V

16

200

100

50

漏源极电压

30

10 V

20 V

12

20

V

DS

8

20

10

5

0.02

0.05 0.1

10

V

DD

= 5 V

0.8

1.6

4

0

4.0

tr

TD （上）

0

10 V

20 V

2.4

3.2

0.2

0.5

1.0

2.0

栅极电荷

Qg

（ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1772

反向漏电流 -

源极到漏极电压

2.0

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

V

GS

= 10 V

1.6

1.2

0.8

0, –5 V

0.4

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

2SK1772

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器 - - - 可驱动5 V电源。

适合用于DC-DC转换器，电动机驱动器，电源开关，螺线管驱动

概要

UPAK

2 1

4

3

D

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

2SK1772

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

30

±20

1

2

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.当使用的氧化铝陶瓷板（ 12.5

×

20

×

0.7mm)

3.标示为"HY" 。

2

2SK1772

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

30

±20

—

1.0

—

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

0.6

—

典型值

—

0.4

0.6

1.0

85

65

20

10

15

40

30

1.2

30

最大

—

±10

50

2.0

0.6

0.85

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 1 A，V

GS

= 0

I

F

= 1 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 4 V*

1

I

D

= 0.5 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 60

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

3

2SK1772

2.0

P沟（W）的

功率与北部沿海地区降额

最高安全工作区

10

I

D

(A)

3

1

D

C

在这一领域是

限于由R

DS （ ON）

PW = 100微秒

PW

O

pe

ra

t

PW

=

1.5

散热通道

漏电流

=

1

1.0

0.3

0.1

10

m

s

m

s

io

n

0.5

0.03

0.01

0.1

TA = 25°C

0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

典型的输出特性

2.0

10 V

I

D

(A)

1.6

5V

脉冲测试

3.0 V

漏电流

I

D

(A)

4V

3.5 V

1.0

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.8

1.2

0.6

75°C

0.4

TC = 25°C

–25°C

漏电流

0.8

2.5 V

0.4

V

GS

= 2 V

0

1

2

3

漏源极电压

4

V

DS

(V)

5

0.2

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

V

GS

(V)

5

4

2SK1772

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

脉冲测试

5

1.6

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

10

2

1

V

GS

= 4 V

10 V

1.2

2A

1A

I

D

= 0.5 A

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.8

0.5

0.4

0.2

0.1

0.05 0.1 0.2

0.5

1

2

漏电流I

D

(A)

5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

2.0

脉冲测试

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳主场迎战

漏电流

5.0

2.0

TC = 25°C

1.0

0.5

75°C

–25°C

1.6

1.2

2A

V

GS

= 4 V

1A

0.5 A

2A

V

GS

= 10 V

I

D

= 0.5 A, 1 A

160

0.8

0.2

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

漏电流I

D

(A)

2.0

0.4

0

–40

0

40

80

120

壳温度（ ° C）

0.05

0.02

5