【2SK1761硅N沟道MOS FETREJ03G0968-0200（上一个： ADE- 208-13】,IC型号2SK1761,2SK1761 PDF资料,2SK1761经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1761

硅N沟道MOS FET

REJ03G0968-0200

（上一个： ADE- 208-1315 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器， DC-DC变换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A

（包名称： TO- 220AB ）

D

G

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1761

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

250

±30

12

48

12

75

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

250

±30

—

2.0

—

5.0

—

典型值

—

0.23

8.0

1100

440

68

20

65

100

44

1.0

200

最大

—

±10

250

3.0

0.35

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V*

I

D

= 6 A，V

DS

= 10 V*

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 5

3

I

F

= 12 A，V

GS

= 0

I

F

= 12 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1761

主要特点

功率与温度降额

160

100

10

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

120

漏电流I

D

(A)

30

10

3

1

0.3

PW

C

D

10

0

=

1

s

10

m

s

m

80

s

(1

TA = 25°C

O

TIO

ra

pe

sh

ot

)

n

c

(T

40

=

)

°

C

25

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

3

10

30

0

50

100

150

200

0.1

1

100 300

1000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

10 V

6V

10

脉冲测试

典型的传输特性

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

16

5.5 V

8

V

DS

= 10 V

脉冲测试

12

5V

8

4.5 V

4

V

GS

= 4 V

0

4

8

12

16

20

6

TC = 75℃

4

25°C

– 25°C

2

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

5

脉冲测试

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2

1

0.5

3

10 A

2

5A

1

I

D

= 2 A

0

4

8

12

16

20

V

GS

= 10 V

0.2

15 V

0.1

0.05

0.5

1

2

5

10

20

50

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1761

静态漏源导通状态

电阻与温度

1.0

脉冲测试

V

GS

= 10 V

I

D

= 10 A

5A

2A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

0.8

20

10

5

0.6

0.4

75°C

25°C

2

1

0.5

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

0.2

0

– 40

0

40

80

120

160

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

10000

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间吨RR （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

50

1000

西塞

科斯

100

CRSS

20

10

5

0.2

0.5

1

2

5

10

20

10

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

500

I

D

= 12 A

20

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

500

200

100

50

t

r

20

10

5

0.1 0.2

t

f

t

D（上）

.

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

.

PW = 2

s,

税

≤

1 %

t

D（关闭）

300

V

DS

V

GS

12

200

V

DD

= 200 V

100 V

8

50 V

V

DD

= 200 V

100 V

50 V

4

100

0

8

16

24

32

40

0

开关时间t（ NS ）

400

16

0.5

1

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1761

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

16

12

8

4

V

GS

= 10 V

0, – 5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

1.0

D=1

0.5

0.3

0.2

θch

- C （T ） =

γS （T ） θch

– c

θch

- C = 1.67 ° C / W ，TC = 25°C

1s

P

热

ULS

e

TC = 25°C

0.1

0.1 0.05

0.02

0.03

0.01

10

100

1m

10 m

P

DM

T

100 m

PW

1

D = PW

T

10

脉冲宽度PW （S ）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

2SK1761

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合switchingregulator ， DC-DC转换

概要

TO-220AB

D

G

1

2

3

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

2SK1761

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

12

48

12

75

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK1761

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

250

±30

—

2.0

—

5.0

—

典型值

—

0.23

8.0

1100

440

68

20

65

100

44

1.0

200

最大

—

±10

250

3.0

0.35

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 12 A，V

GS

= 0

I

F

= 12 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 6 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 5

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK1761

最高安全工作区

功率与温度降额

160

100

10

30

P沟（W）的

120

s

10

0

漏电流I

D

(A)

10

D

C

PW

=

1

s

10

m

s

m

散热通道

s

(1

O

n

TIO

ra

pe

3

1

sh

80

ot

)

c

(T

TA = 25°C

=

°C

25

)

40

0.3

0.1

1

0

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

在这一领域

由R有限公司

DS

（上）

3

10

30

100

300

1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

10 V

16

漏电流I

D

(A)

6V

脉冲测试

5.5 V

漏电流I

D

(A)

8

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

12

5V

8

4.5 V

4

V

GS

= 4 V

6

TC = 75℃

4

25°C

– 25°C

2

0

12

16

漏极至源极电压V

DS

(V)

4

8

20

0

2

4

6

8

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

4

2SK1761

漏极至源极饱和电压

与门源电压

5

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

V

DS

（上）（V）的

脉冲测试

关于国家静态漏源

电阻R

DS

（上）（

)

4

2

1

0.5

V

GS

= 10 V

5

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

3

10 A

2

5A

1

I

D

= 2 A

0.2

15 V

0.1

0

4

8

12

16

20

0.05

0.5

1

2

5

10

20

50

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏源导通状态

电阻与温度

1.0

50

正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲测试

正向转移导纳

|y

fs

| (S)

20

10

5

75°C

25°C

2

1

TC = -25°C

关于国家静态漏源

电阻R

DS

（上）（

)

0.8

脉冲测试

V

GS

= 10 V

0.6

I

D

= 10 A

0.4

5A

0.2

2A

0

– 40

0

40

80

120

160

0.5

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

5