【2SK1669硅N沟道MOS FETREJ03G0966-0200（上一个： ADE- 208-13】,IC型号2SK1669-E,2SK1669-E PDF资料,2SK1669-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SK1669

硅N沟道MOS FET

REJ03G0966-0200

（上一个： ADE- 208-1310 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

rr

= 90纳秒）

适用于电机控制，开关调节器和DC-DC转换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

3

1

2

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1669

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

250

±30

30

120

30

125

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

250

±30

—

—

2.0

—

12

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

0.075

20

3100

1330

190

45

170

270

150

1.0

90

最大

—

—

±10

250

3.0

0.095

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V *

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 2

3

3

I

F

= 30 A，V

GS

= 0

I

F

= 30 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1669

主要特点

功率与温度降额

150

1,000

300

ea

ar

is

上）

h

NT·

S(

N I

D

蒂奥B

RA

PE螨

李

PW

is

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

0.1

100

10

=

10

0

s

1

DC

50

10

Op

ms

er

(1

ATI

Sh

on

OT ）

(T

C

=

25

°

C

)

ms

s

TA = 25°C

1

3

10

30

300

1,000

0

50

100

150

100

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

10 V

8V

6V

5V

30

4.5 V

脉冲测试

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏极电流ID （ A）

40

40

30

20

20

10

V

GS

= 4 V

10

T

C

= 75°C

25°C

–25°C

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

5

脉冲测试

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

0.5

脉冲测试

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.2

0.1

0.05

V

GS

= 10 V, 15 V

3

2

I

D

= 20 A

10 A

5A

4

8

12

16

20

0.02

0.01

0.005

1

2

5

10

20

50

100

1

0

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1669

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.2

V

GS

= 10 V

脉冲测试

0.16

I

D

= 30 A

20 A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

20

25°C

10

5

75°C

TA = -25°C

0.12

10 A

0.08

2

1

0.5

0.5

0.04

0

–40

0

40

80

120

160

1

2

5

10

20

50

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

10,000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

西塞

200

电容C （PF ）

100

50

的di / dt = 100 A / μs的，V

GS

= 0

TA = 25 ° C，脉冲测试

1,000

科斯

20

10

5

0.5

100

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

10

1

2

5

10

20

50

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

500

V

GS

= 50 V

100 V

200 V

V

GS

V

DS

20

500

开关特性

t

D（关闭）

开关时间t（ NS ）

400

16

200

t

f

100

50

t

r

t

D（上）

300

12

200

8

20

10

5

0.5

100

V

DD

= 200 V

100 V

50 V

40

80

120

I

D

= 30 A

脉冲测试

160

200

4

.

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

.

PW = 2

s,

值班< 1 ％

0

0

1

2

5

10

20

50

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1669

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

40

30

20

V

GS

= 10 V

10

0, –5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

1.0

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

10

0.01

脉冲

热

1S

T

C

= 25°C

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

θch -C

= 1.0 ℃/ W，T

C

= 25°C

P

DM

PW

1

D = PW

T

T

1m

10 m

100 m

100

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

R

L

50

VIN

10 V

VOUT

V

DD

.

= 30 V

.

t

D（上）

VIN

10%

波形

90%

10%

10%

90%

t

D（关闭）

t

f

90%

t

r

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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