【2SK1647 （L） 2SK1647 （S）硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高】,IC型号2SK1647,2SK1647 PDF资料,2SK1647经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

LDPAK

4

1 2

1

D

G

2

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

900

±30

2

6

2

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号最小值

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

900

±30

—

2.0

—

0.9

—

典型值

—

5.0

1.5

425

175

85

10

35

60

50

0.9

700

最大

—

±10

250

3.0

7.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 2 A，V

GS

= 0

I

F

= 2 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 30

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 720 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V *

1

I

D

= 1 A，V

DS

= 20 V *

1

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

见2SK1338的特性曲线。

3

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

功率与温度降额

60

通道耗散P沟（W）的

40

20

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

4

单位：mm

10.2

±

0.3

(1.4)

4.44

±

0.2

1.3

±

0.2

0.3

10.0

+ 0.5

–

11.3

±

0.5

8.6

±

0.3

1.27

±

0.2

0.86

+ 0.1

–

0.76

±

0.1

2.54

±

0.5

11.0

±

0.5

1.2

±

0.2

2.59

±

0.2

2.54

±

0.5

0.4

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

LDPAK （L）的

—

1.4 g

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

硅N沟道MOS FET

REJ03G0963-0200

（上一个： ADE- 208-1306 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

4

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

D

1

2

3

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页7

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

900

±30

2

6

2

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

900

±30

—

2.0

—

0.9

—

典型值

—

5.0

1.5

425

175

85

10

35

60

50

0.9

700

最大

—

±10

250

3.0

7.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 ,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 720 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V *

I

D

= 1 A，V

DS

= 20 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 30

3

I

F

= 2 A，V

GS

= 0

I

F

= 2 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 7

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

主要特点

功率与温度降额

60

最高安全工作区

10

5

ea

通道耗散P沟（W）的

10

s

漏电流I

D

(A)

O

每

升即时通讯吨

ITE离子

d。在

由次

R是

(o

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

n)

10

ar

0

40

1

m

s

)

ot

°

C

sh

25

=

(1

s

(T

C

m

10

离子

=

RAT

e

PW

Op

C

DS

D

20

TA = 25

°

C

0

50

100

150

1

3

10

30

100

300 1,000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

脉冲测试

10 V

5

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

5.5 V

3

5.0 V

2

4.5 V

1

4.0 V

V

GS

= 3.0 V

0

10

20

30

40

50

漏电流I

D

(A)

4

6V

4

–25°C

3

T

C

= 25°C

75°C

2

1

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

50

脉冲测试

40

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

50

脉冲测试

20

10

5

V

GS

= 10 V

15 V

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

30

I

D

= 3 A

2A

1A

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2

1

0.5

0.05

10

0

4

8

12

16

20

0.1

0.2

0.5

1

2

5

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

20

V

GS

= 10 V

脉冲测试

I

D

= 3 A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

5

V

DS

= 20 V

脉冲测试

2

1

0.5

0.2

0.1

–25°C

T

C

= 25°C

75°C

16

12

2A

1A

8

4

0

–40

0

40

80

120

160

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

案例温度T

C

(°C)

漏电流I

D

(A)

体漏二极管反向

恢复时间

5,000

1,000

的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

典型的电容比。

漏源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

西塞

电容C （PF ）

2,000

1,000

500

100

科斯

200

100

50

0.05 0.1

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

CRSS

0.2

0.5

1

2

5

1

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

1,000

V

DD

= 250 V

800

400 V

600 V

V

GS

V

DS

400

V

DD

= 600 V

400 V

250 V

0

8

16

24

I

D

= 2 A

32

40

8

16

12

20

500

开关特性

V

GS

= 10 V V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

值班< 1 ％

开关时间t（ NS ）

200

100

50

20

10

5

0.05

600

t

D（关闭）

t

f

t

r

t

D（上）

200

4

0

0.1 0.2

0.5

1

2

5

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

2SK1647 （L） 2SK1647 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

5

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

4

3

2

1

5 V, 10 V

V

GS

= 0, –5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

1

0.0

T P上

ho

1S

e

ULS

1.0

T

C

= 25°C

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 2.50 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

D = PW

T

0.03

T

1m

10 m

100 m

0.01

10

100

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T.

R

L

VIN

10 V

50

VIN

VOUT

10%

波形

90%

10%

90%

t

D（关闭）

t

f

V

DD

.

= 30 V

.

90%

t

D（上）

t

r

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7