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首字符2的型号第338页
> 2SK163
2SK1636 (L) 2SK1636 (S)
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1636 (L) 2SK1636 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
15
60
15
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK1636 (L) 2SK1636 (S)
电气特性
( TA = 25°C )
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
民
250
±30
—
—
2.0
—
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.22
10.0
1250
510
85
24
85
110
60
1.0
400
最大
—
—
±10
250
3.0
0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15 A,V
GS
= 0
I
F
= 15 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 8 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A,V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 8 A,V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK1636 (L) 2SK1636 (S)
功率与温度降额
120
通道耗散P沟(W)的
100
ea
最高安全工作区
10
ar
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
30
漏电流I
D
(A)
80
10
3
1
0.3
10
0
(o
n)
s
s
DS
1
m
s
10
PW
=
D
C
pe
O
m
s
(1
)
ot
Sh
TIO
ra
n
=
(T
C
40
25
)
°C
TA = 25°C
0.1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
10 V
8V
5.5 V
脉冲测试
5V
漏电流I
D
(A)
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
16
16
漏电流I
D
(A)
12
12
8
4.5 V
4
4V
V
GS
= 3.5 V
0
4
12
16
8
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
8
TA = 75℃
25°C
–25°C
4
0
2
6
8
4
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
2SK1636 (L) 2SK1636 (S)
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
10
脉冲测试
8
5
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10 V
15 V
6
4
I
D
= 15 A
10 A
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
2
5A
0
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
100
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
脉冲测试
V
GS
= 10 V
0.8
正向转移导纳
yfs
(S)
1.0
50
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20
T
C
= –25°C
10
5
25°C
75°C
0.6
I
D
= 15 A
0.4
5A
0.2
10 A
2
1
0.5
0.5
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
50
5
查看更多
2SK163
PDF信息
推荐型号
2660FS12
2SK3608-S
212U01S220RN3
2SC4209Y
21D-1E32N0
296HB252C2C
2SD331D
2SC3466K
212U0102N320KB
20021121-00004T8LF
2N4135
2-1376392-3
2SD1592K
2N2806
2SC2178
28E15D50
2N3420SJANTX
2516A-030
2N4888
22-28-5140
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北京首天伟业科技有限公司
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QQ:2881290686
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联系人:刘经理
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