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动力F- MOS场效应管
2SK1613
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
高雪崩能量容量
q
V
GSS
： 30V保证
q
低R
DS （ ON）
高速的开关特性
4.0±0.1
单位：mm
15.0±0.5
4.0±0.1
13.0±0.5
10.5±0.5
4.5±0.2
s
应用
q
高速开关（开关电源）
q
用于高频功率放大
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
900
±30
±5
±10
45
100
2.5
150
55
+150
单位
V
16.2±0.5
2.0±0.1
20.0±0.3
19.0±0.3
15.0±0.2
φ3.2±0.1
3.5
浸焊
V
A
A
mJ
W
°C
°C
2.0±0.2
1.1±0.1
1.4±0.3
12.5
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
0.6±0.2
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
EIAJ ：SC- 65 （一）
TOP- 3封装（一）
单脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
雪崩能量容量
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
EAS
*
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
C
OSS
t
on
t
f
t
D（关闭）
条件
V
DS
= 720V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
L = 3.6mH ，我
D
= 5A ，V
DD
= 50V
V
DS
= 25V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
V
DS
= 25V ，我
D
= 3A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
1.5
900
45
2
2
3.5
1400
140
60
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
V
DD
= 200V ，R
L
= 66
90
60
170
5
2.8
民
典型值
最大
0.1
±1
单位
mA
A
V
mJ
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
*
雪崩能量容量测试电路
L
I
D
门
V
DS
D
RAIN
S
环境允许
C
V
DD
PVS
R
GS
1
动力F- MOS场效应管
I
D
V
DS
16
14
12
10
8
6
4
5V
2
0
0
10
20
30
40
50
60
P
D
=120W
4V
V
GS
=15V 10V
7V
6V
8
2SK1613
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
R
DS （ ON）
I
D
V
DS
=25V
T
C
=25C
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
)
5
T
C
=25C
T
C
=25C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
4
漏电流I
D
(A)
3
V
GS
=10V
2
15V
1
0
0
2
4
6
8
10
12
10
12
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
I
D
V
GS
输入电容（共源） ，输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
（PF ）
12
V
DS
=25V
T
C
=25V
10
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
300
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
f
, t
D（关闭）
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25C
开关时间t
on
,t
f
,t
D（关闭）
（纳秒）
3000
C
国际空间站
250
漏电流I
D
(A)
8
1000
200
t
D（关闭）
6
300
150
4
100
C
OSS
C
RSS
100
t
on
t
f
2
30
50
0
0
2
4
6
8
10
10
0
40
80
120
160
200
240
0
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
P
D
Ta
160
安全操作区（ ASO ）
100
60
EAS
T
j
雪崩能量容量EAS （兆焦耳）
V
DD
=50V
I
D
=5A
50
允许功耗P
D
(W)
140
120
100
80
60
40
20
(1) T
C
= TA
（2）不带散热片
(P
D
=2.5W)
30
10
3
I
DP
I
D
非重复脉冲
T
C
=25C
漏电流I
D
(A)
t=1ms
1s
40
(1)
1
0.3
0.1
0.03
10ms
30
20
10
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
结温度T
j
(C)
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24LC164-I/P
24LC164I/P
2SC3457
2SC5417
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2N5152_02
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