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2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1540
2SK1541
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
记
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
7
28
7
60
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1540 V
（ BR ） DSS
2SK1541
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.7
6.5
1050
280
40
15
55
95
40
0.95
320
3.0
0.8
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1540我
DSS
2SK1541
门源截止电压
静态漏源2SK1540
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1541
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
见2SK1157 ， 2SK1158特性曲线。
3
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
4
单位：mm
10.2
±
0.3
(1.4)
4.44
±
0.2
1.3
±
0.2
0.3
10.0
+ 0.5
–
11.3
±
0.5
8.6
±
0.3
1.27
±
0.2
0.2
0.86
+ 0.1
–
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
11.0
±
0.5
1.2
±
0.2
2.59
±
0.2
2.54
±
0.5
0.4
±
0.1
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
LDPAK （L）的
—
—
1.4 g
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2030.0544
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