2SK1540 （L） 2SK1540 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0952-0200
（上一个： ADE- 208-1292 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
1
1
2
3
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK1540 （L） 2SK1540 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
2.0
V
GS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
1.6
20
10
5
1.2
I
D
= 10 A
0.8
2, 5 A
2
1.0
0.5
0.1
0.4
0
–40
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1.0
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
5,000
5,000
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
2,000
1,000
500
200
100
50
0.2
1,000
西塞
科斯
100
10
5
0.5
1.0
2
5
10
20
0
10
20
CRSS
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
20
500
开关特性
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
400
V
DS
300
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
16
开关时间t（ NS ）
200
100
50
t
D（关闭）
12
t
f
t
r
t
D（上）
200
I
D
= 7 A
100
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
16
24
32
40
8
20
10
5
0.2
4
0
0
0.5
1.0
2
5
10
20
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1540
2SK1541
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
记
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
7
28
7
60
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1540 V
（ BR ） DSS
2SK1541
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.7
6.5
1050
280
40
15
55
95
40
0.95
320
3.0
0.8
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1540我
DSS
2SK1541
门源截止电压
静态漏源2SK1540
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1541
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
见2SK1157 ， 2SK1158特性曲线。
3
2SK1540 （L） （S） - ， 2SK1541 （L） （S）
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
4
QQ：2881677436 复制
