【2SK1519 ， 2SK1520硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高速开关低驱动】,IC型号2SK1519,2SK1519 PDF资料,2SK1519经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1519 ， 2SK1520

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

rr

= 120纳秒）

适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器

概要

TO-3PL

D

G

1

2

3

S

1.门

2.漏

3.源

2SK1519 ， 2SK1520

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SK1519

2SK1520

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25°C

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

符号

V

DSS

评级

450

500

±30

30

120

30

200

150

-55到+150

V

A

W

°C

单位

V

2

2SK1519 ， 2SK1520

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

符号最小值

2SK1519 V

（ BR ） DSS

2SK1520

V

（ BR ） GSS

I

GSS

450

500

±30

—

±10

250

V

A

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

V

GS （ OFF ）

2.0

—

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

15

—

0.11

0.12

25

5800

1550

170

65

170

415

200

1.1

120

3.0

0.15

0.16

—

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 30 A，V

GS

= 0

I

F

= 30 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 2

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V *

1

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

V

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V *

1

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

2SK1519我

DSS

2SK1520

门源截止电压

静态漏源2SK1519

DS （ ON）

导通状态电阻

2SK1520

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

3

2SK1519 ， 2SK1520

功率与温度降额

300

通道耗散P沟（W）的

1,000

300

漏电流I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

TA = 25°C

0.1

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

3

30

10

100 300 1,000

漏极至源极电压V

DS

(V)

最高安全工作区

200

100

a

是

10

is

上）

th

在研发

DS （

10

s

0

离子

PW

大鼠泰德B

s

E I

1

m

=

欧普LIM

DC

10

s

is

Op

ms

er

(1

ATI

Sh

on

OT ）

(T

C

=

25

°C

)

2SK1519

2SK1520

典型的输出特性

50

6V

10 V

40

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

5V

40

脉冲测试

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

30

4.5 V

20

30

20

T

C

= 75°C

25°C

–25°C

10

V

GS

= 4 V

10

0

4

16

8

12

漏极至源极电压V

DS

(V)

20

0

2

6

8

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

10

4

2SK1519 ， 2SK1520

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

10

脉冲测试

8

I

D

= 50 A

5

脉冲测试

2

1

0.5

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

6

4

20 A

2

10 A

0.2

0.1

0.05

2

5

50 100

20

10

漏电流I

D

(A)

200

V

GS

= 10 V, 15 V

0

2

6

8

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

yfs

(S)

0.5

V

GS

= 10 V

脉冲测试

I

D

= 50 A

0.3

20 A

100

50

正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲测试

T

C

= –25°C

25°C

75°C

0.4

20

10

5

0.2

10 A

0.1

2

1

0.5

0

–40

0

80

120

40

案例温度T

C

(°C)

160

1

2

10

5

20

漏电流I

D

(A)

50

5

2SK1519 ， 2SK1520

硅N沟道MOS FET

REJ03G0948-0300

（上一个： ADE- 208-1288 ）

Rev.3.00

2006年4月27日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

rr

= 120纳秒）

适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZF -A

（包名称： TO- 3PL ）

D

G

1.门

2.漏

3.源

1

S

2

3

Rev.3.00 2006年4月27日第1页6

2SK1519 ， 2SK1520

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SK1519

2SK1520

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

450

500

±30

30

120

30

200

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

°

C

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

2SK1519

2SK1520

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅压漏2SK1519

当前

2SK1520

门源截止电压

静态漏源2SK1519

态电阻

2SK1520

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

450

500

±30

—

2.0

—

15

—

典型值

—

0.11

0.12

25

5800

1550

170

65

170

415

200

1.1

120

最大

—

±10

250

3.0

0.15

0.16

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V *

3

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V *

3

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 2

I

F

= 30 A，V

GS

= 0

I

F

= 30 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.3.00 2006年4月27日第2页6

2SK1519 ， 2SK1520

主要特点

功率与温度降额

300

最高安全工作区

1,000

300

REA

S A

n)

10

THI

o

在研发

DS （

10

s

0

离子

PW

大鼠泰德B

s

E I

1

m

=

欧普LIM

DC

10

s

is

Op

ms

er

(1

ATI

Sh

on

OT ）

(T

C

=

25

°

C

)

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

0.1

200

100

TA = 25

°

C

1

3

10

30

2SK1519

2SK1520

100

300

1,000

0

50

100

150

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

6V

10 V

5V

脉冲测试

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

40

30

4.5 V

20

30

20

T

C

= 75°C

25°C

–25°C

10

V

GS

= 4 V

10

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

10

脉冲测试

8

I

D

= 50 A

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

2

1

0.5

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

6

4

20 A

2

10 A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.2

0.1

0.05

2

5

10

20

50

100

200

V

GS

= 10 V, 15 V

0

2

4

6

8

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.3.00 2006年4月27日第3页6

2SK1519 ， 2SK1520

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

V

GS

= 10 V

脉冲测试

I

D

= 50 A

0.3

20 A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

100

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

T

C

= –25°C

25°C

75°C

0.4

20

10

5

0.2

10 A

0.1

2

1

0.5

0

–40

0

40

80

120

160

1

2

5

10

20

50

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1,000

10,000

的di / dt = 100 A / μs的，V

GS

= 0

脉冲测试

电容C （PF ）

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

反向恢复时间吨RR （ NS ）

500

200

100

50

1,000

科斯

100

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

10

20

10

0.5

1

2

5

10

20

50

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

1,000

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

V

GS

V

DS

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

1,000

500

t

D（关闭）

开关时间t（ NS ）

800

16

600

12

200

100

50

t

r

t

f

400

8

t

D（上）

200

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

80

160

240

I

D

= 30 A

脉冲测试

320

400

4

20

10

0.5

V

GS

= 10 V ， PW = 2

s

.

值班< 1 ％，V

DD

= 30 V

.

1

2

5

10

20

50

0

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.3.00 2006年4月27日第4 6

2SK1519 ， 2SK1520

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

40

30

20

10 V

GS

= 0, –5 V

10 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

T

C

= 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 0.625 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

D = PW

T

0.02

0.03

0.01

LSE

吨PU

笑

1

T

100

1m

10 m

100 m

0.01

10

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

波形

90%

VOUT监控

D.U.T

VIN

10%

90%

t

D（上）

t

r

90%

t

D（关闭）

t

f

10%

R

L

50

VIN

10 V

V

DD

.

= 30 V

.

VOUT

Rev.3.00 2006年4月27日第5 6