【2SK1515 ， 2SK1516硅N沟道MOS FETREJ03G0946-0200（上一个： A】,IC型号2SK1516,2SK1516 PDF资料,2SK1516经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1515 ， 2SK1516

硅N沟道MOS FET

REJ03G0946-0200

（上一个： ADE- 208-1286 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

rr

= 120纳秒）

适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

3

1

2

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1515 ， 2SK1516

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

2SK1515

2SK1516

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

2

PCH *

总胆固醇

TSTG

1

符号

V

DSS

评级

450

500

±30

10

30

10

100

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

2SK1515

2SK1516

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

450

500

±30

—

2.0

—

4.0

—

典型值

—

0.6

0.7

7.0

1100

310

50

15

65

95

55

1.0

120

最大

—

±10

250

3.0

0.8

0.9

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

3

I

D

= 5 A，V

GS

= 10 V *

I

D

= 5 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 5 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 6

3

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅压漏2SK1515

当前

2SK1516

门源截止电压

静态漏源2SK1515

态电阻

2SK1516

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 3.脉冲测试

I

F

= 10 A，V

GS

= 0

I

F

= 10 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1515 ， 2SK1516

主要特点

功率与温度降额

120

最高安全工作区

50

10

ar

通道耗散P沟（W）的

20

ea

10

O

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

漏电流I

D

(A)

(o

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

PW

s

0

n)

=

s

DS

80

10

1

C

D

ra

pe

O

m

s

(1

sh

ot

pu

ls

e)

)

m

s

n

TIO

(T

C

=

°

C

25

40

TA = 25

°

C

1

3

10

2SK1515

2SK1516

30

100

300 1,000

0

50

100

150

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

10 V

7V

6V

20

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

16

脉冲测试

16

–25°C

TA = 25°C

12

5V

12

75°C

8

4

V

GS

= 4 V

0

10

20

30

40

50

4

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

10

脉冲测试

8

10 A

6

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.5

15 V

V

GS

= 10 V

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

4

5A

2

I

D

= 2 A

0

4

8

12

16

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

20

1

2

5

10

20

50

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1515 ， 2SK1516

静态漏源导通状态

电阻与温度

2.0

V

GS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

50

V

DS

= 20 V

脉冲测试

20

10

5

2

1

0.5

0.1

T

C

= –25°C

25°C

75°C

1.6

1.2

I

D

= 10 A

0.8

2, 5 A

0.4

0

–40

0

40

80

120

160

0.2

0.5

1

2

5

10

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

5,000

的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

2,000

1,000

500

1,000

西塞

科斯

100

200

100

50

0.2

10

0.5

1

2

5

10

20

5

0

10

20

CRSS

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

500

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

V

GS

20

500

开关特性

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

税

≤

1 %

V

DS

开关时间t（ NS ）

400

16

200

100

50

t

f

t

r

t

D（关闭）

300

12

200

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

8

16

24

8

20

10

5

0.2

100

I

D

= 7 A

t

D（上）

4

0

32

40

0.5

1

2

5

10

20

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1515 ， 2SK1516

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

16

12

15 V

8

10 V

4

V

GS

= 0, –10 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

1.0

T

C

= 25°C

0.1

0.05

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 1.25 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

D = PW

T

0.02

0.03

0.01

10

0.01

脉冲

热

1S

T

1m

10 m

100 m

100

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T.

R

L

VOUT

VIN

10 V

50

V

DD

.

= 30 V

.

t

D（上）

VIN

10%

波形

90%

10%

90%

t

D（关闭）

t

f

90%

t

r

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

2SK1515 ， 2SK1516

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

内置的快速恢复二极管（T

rr

= 120纳秒）

适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器

概要

TO-3P

D

G

1

2

3

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

2SK1515 ， 2SK1516

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SK1515

2SK1516

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25°C

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

符号

V

DSS

评级

450

500

±30

10

30

10

100

150

-55到+150

V

A

W

°C

单位

V

2

2SK1515 ， 2SK1516

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

符号最小值

2SK1515 V

（ BR ） DSS

2SK1516

V

（ BR ） GSS

I

GSS

450

500

±30

—

±10

250

V

A

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

V

GS （ OFF ）

2.0

—

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

4.0

—

0.6

0.7

7.0

1100

310

50

15

65

95

55

1.0

120

3.0

0.8

0.9

—

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 10 A，V

GS

= 0

I

F

= 10 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

I

D

= 5 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 6

I

D

= 5 A，V

DS

= 10 V *

1

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

V

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 5 A，V

GS

= 10 V *

1

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

2SK1515我

DSS

2SK1516

门源截止电压

静态漏源2SK1515

DS （ ON）

导通状态电阻

2SK1516

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

3

2SK1515 ， 2SK1516

功率与温度降额

120

通道耗散P沟（W）的

50

10

ar

ea

最高安全工作区

20

漏电流I

D

(A)

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

10

O

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

(o

PW

s

0

n)

DS

=

s

80

10

1

D

C

O

pe

ra

m

s

(1

sh

ot

s

pu

ls

e)

m

TIO

n

(T

C

=

25

40

TA = 25°C

2SK1515

2SK1516

3

10

30

100 300 1,000

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

10 V

16

漏电流I

D

(A)

7V

6V

漏电流I

D

(A)

脉冲测试

16

20

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

–25°C

°C

TA = 25°C

)

12

5V

12

75°C

8

4

V

GS

= 4 V

0

10

30

40

20

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

4

0

2

6

8

4

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

4

2SK1515 ， 2SK1516

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

10

脉冲测试

8

10 A

6

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

5

脉冲测试

2

1

0.5

0.2

0.1

15 V

V

GS

= 10 V

4

5A

2

I

D

= 2 A

0

8

20

4

12

16

栅极至源极电压V

GS

(V)

0.05

0.5

1

2

5

10 20

漏电流I

D

(A)

50

静态漏源导通状态

电阻与温度

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

yfs

(S)

2.0

V

GS

= 10 V

脉冲测试

50

正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 20 V

脉冲测试

20

10

5

2

1

0.5

0.1

T

C

= –25°C

25°C

75°C

1.6

1.2

I

D

= 10 A

0.8

2, 5 A

0.4

0

–40

40

0

80

120

案例温度T

C

(°C)

160

0.2

0.5

1

2

漏电流I

D

(A)

5

10

5