【订购数量： ENN3447D2SK1444LSN沟道MOSFET硅2SK1444LS超高速开关应用特】,IC型号2SK1444LS,2SK1444LS PDF资料,2SK1444LS经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN3447D

2SK1444LS

N沟道MOSFET硅

2SK1444LS

超高速开关应用

特点

包装尺寸

单位：mm

2078C

[2SK1444LS]

10.0

3.2

3.5

7.2

低导通电阻。

超高速开关。

Micaless包便于安装。

4.5

2.8

16.1

16.0

3.6

0.9

1.2

14.0

1.2

0.75

1 2 3

2.4

0.7

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

2.55

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220FI （ LS ）

评级

450

±30

2.0

150

--55到150

单位

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

条件

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 450V ， VGS = 0

VGS = ± 30V ， VDS = 0

评级

民

450

1.0

±100

典型值

最大

单位

（注）要小心处理的2SK1444LS因为它具有栅极和源极之间没有保护二极管。

标记： K1444

0.6

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

N1501 TS IM TA- 61099分之3431 TH （ KT ） / TS 72597 （ KOTO ） / 7151 JN （ KOTO ） No.3447-1 / 4

2SK1444LS

从接下页。

参数

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

符号

VGS （关闭）

YFS

RDS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

VSD

条件

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 0.5A

ID = 0.5A ， VGS = 10V

VDS = 20V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

IS = 3A ， VGS = 0

评级

民

2.0

1.1

2.2

2.0

400

1.8

2.6

典型值

最大

3.0

单位

开关时间测试电路

10V

VIN

VDD “

200V

ID=1.5A

VIN

PW=1s

D.C.≤0.5%

RL=133

VOUT

P.G

RGS

2SK1444LS

ID - VDS

.0V

ID - VGS

TC = --25 ℃，

VDS=10V

漏极电流ID -

.0V

5.5V

25°C

5.0V

°C

4.5V

4.0V

ITR01394

漏极至源极电压VDS - V

ID - 锝

栅极 - 源极电压VGS - V

ITR01395

VGS （关闭） - 锝

VDS=10V

截止电压， VGS （关闭） - V

VDS=10V

ID=1mA

漏极电流ID -

--60

--40

--20

100

120

140

160

--60

--40

--20

100

120

140

160

外壳温度，TC -

°C

ITR01396

外壳温度，TC -

°C

ITR01397

No.3447-2/4

2SK1444LS

RDS （ ON） - VGS

Tc=25°C

RDS （ ON） - 锝

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

ID = 3.0

1.5A

1.0A

， VG

1.5

， VG

--60

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

ITR01398

- ID

外壳温度，TC -

°C

ITR01399

SW时间 - ID

VDD=200V

VGS=10V

P.W.=1s

D.C.≤0.5%

TD （关

)

正向转移导纳，

fs - S

切换时间， SW时间 - NS

VDS=10V

1.0

--2

100

TD （上）

0.1

1.0

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

VGS=0

f=1MHz

漏极电流ID -

ITR01400

1.0

漏极电流ID -

ITR01401

ASO

IDP=12A

ID=3A

<1s

漏极电流ID -

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

西塞

1.0

0.1

10 0

科斯

操作在此

ERA

TIO

区域由的RDS（on ）的限制。

CRSS

Tc=25°C

单脉冲

7 10

7 100

7 1000

漏极至源极电压VDS - V

2.4

ITR01402

漏极至源极电压VDS - V

ITR01403

PD - TA

PD - 锝

允许功耗， PD - 含

2.0

1.6

1.2

罪

0.8

0.4

100

120

140

160

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

ITR01404

外壳温度，TC -

°C

ITR01405

No.3447-3/4

2SK1444LS

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照

有关在按照上述规律。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，

或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"

为SANYO产品，你打算使用。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是

为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但

无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的

第三方或其他权利。

本产品目录提供的信息截至11月， 2001年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.3447-4 / 4