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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第479页 > 2SK1402
2SK1402 ， 2SK1402A
硅N沟道MOS FET
REJ03G0942-0200
（上一个： ADE- 208-1282 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1402 ， 2SK1402A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
2SK1402
2SK1402A
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
2
PCH *
总胆固醇
TSTG
1
符号
V
DSS
评级
600
650
±30
4
16
4
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
2SK1402
2SK1402A
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
600
650
±30
—
—
2.0
—
—
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
1.8
2.0
3.5
600
140
25
8
30
60
35
0.9
300
最大
—
—
—
±10
250
3.0
2.4
2.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
DS
= 550 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
3
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 15
3
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅压漏
当前
2SK1402
2SK1402A
门源截止电压
静态漏源2SK1402
态电阻
2SK1402A
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
I
F
= 4 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1402 ， 2SK1402A
主要特点
功率与温度降额
60
最高安全工作区
50
30
10
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
10
ea
ar
s
10
0
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
(o
n)
40
PW
s
3
1
0.3
0.1
0.05
DS
D
C
=
10
m
O
pe
1
s
m
ra
s
TIO
(1
ls
pu
ot
sh
n
20
(T
C
=
TA = 25
°
C
25
°
C
e)
)
2SK1402
2SK1402A
1
3
10
30
100
300 1,000
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
10 V
6V
5V
脉冲测试
5
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
3
4.5 V
漏电流I
D
(A)
4
4
3
2
4V
V
GS
= 3.5 V
0
10
20
30
40
50
2
1
1
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
16
I
D
= 5 A
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.2
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
8
2A
1A
0
4
8
12
16
20
4
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.5
1
2
5
10
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1402 ， 2SK1402A
静态漏源导通状态
电阻与温度
10
V
GS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
10
V
DS
= 20 V
脉冲测试
5
2
1
0.5
T
C
= –25°C
25°C
75°C
8
6
I
D
= 5 A
2A
4
1A
2
0.2
0.1
0.05
0
–40
0
40
80
120
160
0.1
0.2
0.5
1
2
5
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
1,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
西塞
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
的di / dt = 100 A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
0.2
0.5
1
2
5
电容C （PF ）
100
科斯
10
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
0
10
20
30
40
50
10
0.05 0.1
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
1,000
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
20
500
开关特性
V
GS
= 10 V ， PW = 2
s
税
＆ LT ;
1%, V
DD
= 30 V
=
.
16
12
V
GS
开关时间t（ NS ）
800
200
100
t
D（关闭）
50
t
f
20
t
r
10
5
0.1
t
D（上）
600
V
DS
I
D
= 4 A
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
0
8
16
24
32
400
8
4
0
0
40
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1402 ， 2SK1402A
反向漏电流 -
源极到漏极电压
5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
4
3
2
1
5 V, 10 V
0
0.4
0.8
V
GS
= 0, –5 V
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.2
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 2.50 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
LSE
Pu
1.0
T
C
= 25°C
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
10
1
0.0
t
ho
1S
T
1m
10 m
100 m
PW
D = PW
T
100
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T.
R
L
VOUT
VIN
10 V
50
V
DD
= 30 V
t
D（上）
VIN
10%
10%
波形
90%
10%
90%
t
D（关闭）
t
f
90%
t
r
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
2SK1402 ， 2SK1402A
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1402 ， 2SK1402A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1402
2SK1402A
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
600
650
±30
4
16
4
50
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1402 ， 2SK1402A
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
K1402
K1402A
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
符号最小值
V
（ BR ） DSS
600
650
±30
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
DS
= 550 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.8
2.0
3.5
600
140
25
8
30
60
35
0.9
300
3.0
2.4
2.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
I
F
= 4 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 15
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V *
1
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
K1402
K1402A
门源截止电压
静态漏源K1402
导通状态电阻
K1402A
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1402 ， 2SK1402A
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
50
30
10
最高安全工作区
漏电流I
D
(A)
10
ar
ea
s
10
O
每
在林
ITE离子
d。在
B Y形日
R是
(o
n
40
0
PW
s
)
3
1
0.3
0.1
0.05
DS
D
C
=
10
at
io
n
(T
pe
r
O
1
m
s
s
m
(1
sh
20
ot
pu
ls
25
C
=
TA = 25°C
°C
e)
)
2SK1402
2SK1402A
1
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
典型的输出特性
5
10 V
4
漏电流I
D
(A)
4.5 V
漏电流I
D
(A)
6V
5V
脉冲测试
4
5
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
3
3
2
4V
V
GS
= 3.5 V
0
10
30
40
20
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
1
1
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
4
2SK1402 ， 2SK1402A
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
16
I
D
= 5 A
12
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.2
V
GS
= 10 V
15 V
8
2A
1A
0
8
20
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
4
0.5
10
1
2
5
漏电流I
D
(A)
20
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
yfs
(S)
10
V
GS
= 10 V
脉冲测试
10
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
5
2
1
0.5
T
C
= –25°C
25°C
75°C
8
6
I
D
= 5 A
2A
4
1A
2
0.2
0.1
0.05
0
–40
40
0
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
0.1
2
0.2
1
0.5
漏电流I
D
(A)
5
5
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28LV64A--20/L
28LV64A-20/L
2LP39
2N1041
2SD2324
2SD2152
23L51220-10
200KXW330M16X35
29L474C
2N22905A
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    2SK1402
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