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2SK1381

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

2

-π - MOSIII ）

2SK1381

继电器驱动器，电机驱动器和DC- DC转换器

应用

4 -V栅极驱动

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 25毫欧（典型值）。

: |Y

fs

| = 33 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 100 V)

: V

th

= 0.8~2.0 V (V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

T

ch

T

英镑

等级

100

100

±20

50

200

150

150

55~150

单位

V

V

V

A

W

°C

°C

1.门

2.漏极（散热片）

3.源

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-16C1B

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

0.833

50

单位

C / W

C / W

重4.6克（典型值）

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

1

2004-07-06

2SK1381

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈

80 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A

—

60

—

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 4 V，I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 25 A

民

—

—

100

0.8

—

—

20

—

—

—

—

—

典型值。

—

—

—

—

31

25

33

3700

580

1500

16

46

最大

±50

100

—

2.0

46

32

—

—

—

—

—

—

ns

pF

单位

nA

μA

V

V

m

S

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

—

—

—

185

88

62

26

—

—

—

—

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

—

—

I

DR

= 50 A，V

GS

= 0 V

I

DR

= 50 A，V

GS

= 0 V

dI

DR

/ DT = 50 A /

μs

民

—

—

—

—

—

典型值。

—

—

—

280

0.56

最大

50

200

1.6

—

—

单位

A

A

V

ns

μC

记号

K1381

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2

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2004-07-06

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