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2SK1338
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1338
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
900
±30
2
6
2
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
900
±30
—
—
2.0
—
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
5.0
1.5
425
175
85
10
35
60
50
0.9
700
最大
—
—
±10
250
3.0
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
I
F
= 2 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 1 A，V
DS
= 20 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK1338
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
10
5
ea
(o
n)
最高安全工作区
10
s
10
漏电流I
D
(A)
O
每
升，在即时通讯
它ê离子
d。在
经t ^ h
R是
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
ar
0
40
1
m
s
)
)
ot
°C
sh
25
=
(1
s
(T
C
m
10
离子
=
RAT
e
PW
Op
C
D
DS
s
20
TA = 25°C
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
脉冲测试
4
漏电流I
D
(A)
10 V
6V
5.5 V
3
5.0 V
2
4.5 V
1
4.0 V
V
GS
= 3.0 V
0
10
30
40
20
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
漏电流I
D
(A)
4
5
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
3
T
C
= 25°C
75°C
2
1
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
3
2SK1338
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
50
脉冲测试
40
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
50
脉冲测试
20
10
5
V
GS
= 10 V
15 V
30
I
D
= 3 A
2A
1A
20
2
1
0.5
0.05
10
0
8
20
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
0.1
0.2
0.5
1
2
漏电流I
D
(A)
5
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
yfs
(S)
20
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 3 A
5
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
2
1
0.5
0.2
0.1
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
16
12
2A
1A
8
4
0
–40
40
0
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
0.05
0.1
0.5
2
0.2
1
漏电流I
D
(A)
5
4
2SK1338
体漏二极管反向
恢复时间
5,000
反向恢复时间trr （ NS ）
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
1,000
西塞
电容C （PF ）
典型的电容比。
漏源极电压
2,000
1,000
500
100
科斯
200
100
50
2
0.05 0.1 0.2
0.5
1
反向漏电流I
DR
(A)
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
CRSS
5
1
0
20
50
10
30
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DD
= 250 V
800
400 V
600 V
V
GS
V
DS
400
V
DD
= 600 V
400 V
250 V
0
8
I
D
= 2 A
40
8
16
12
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
开关特性
500
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
开关时间t（ NS ）
200
100
50
20
10
5
0.05
600
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
200
4
0
16
24
32
栅极电荷Qg （ NC ）
0.1 0.2
0.5
1
2
漏电流I
D
(A)
5
5
2SK1338
硅N沟道MOS FET
REJ03G0935-0200
（上一个： ADE- 208-1275 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1338
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
*1
评级
900
±30
2
6
2
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
PCH
*2
总胆固醇
TSTG
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向
恢复时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
900
±30
—
—
2.0
—
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
5.0
1.5
425
175
85
10
35
60
50
0.9
700
最大
—
—
±10
250
3.0
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 1 A，V
DS
= 20 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
3
3
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
I
F
= 2 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1338
主要特点
功率与温度降额
60
最高安全工作区
10
5
ar
ea
通道耗散P沟（W）的
10
s
10
漏电流I
D
(A)
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
(o
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
n)
40
1
m
s
)
)
ot
°
C
sh
25
=
(1
s
(T
C
m
10
离子
=
RAT
e
PW
Op
C
DS
D
s
20
TA = 25
°
C
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1,000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
脉冲测试
10 V
5
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
5.5 V
3
5.0 V
2
4.5 V
1
4.0 V
V
GS
= 3.0 V
0
10
20
30
40
50
漏电流I
D
(A)
4
6V
4
–25°C
3
T
C
= 25°C
75°C
2
1
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
50
脉冲测试
40
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
30
I
D
= 3 A
2A
1A
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
2
1
0.5
0.05
10
0
4
8
12
16
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1338
静态漏源导通状态
电阻与温度
20
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 3 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
5
V
DS
= 20 V
脉冲测试
2
1
0.5
0.2
0.1
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
16
12
2A
1A
8
4
0
–40
0
40
80
120
160
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
5,000
1,000
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
西塞
电容C （PF ）
2,000
1,000
500
100
科斯
200
100
50
0.05 0.1
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
CRSS
0.2
0.5
1
2
5
1
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
1,000
V
DD
= 250 V
800
400 V
600 V
V
GS
V
DS
400
V
DD
= 600 V
400 V
250 V
0
8
16
24
I
D
= 2 A
32
40
8
16
12
20
500
开关特性
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
开关时间t（ NS ）
200
100
50
20
10
5
0.05
600
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
200
4
0
0.1 0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1338
反向漏电流 -
源极到漏极电压
5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
4
3
2
1
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.0
T P上
ho
1S
e
ULS
1.0
T
C
= 25°C
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 2.50 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
D = PW
T
0.03
T
1m
10 m
100 m
0.01
10
100
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T.
R
L
VIN
10 V
50
VIN
VOUT
10%
波形
90%
10%
10%
90%
t
D（关闭）
t
f
V
DD
.
= 30 V
.
90%
t
D（上）
t
r
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
查看更多2SK1338PDF信息
推荐型号
2SB745S
2PC4617SM
20756
2SD2532
2-5177986-2
22-28-5252
27C16AFT-15TS
219-10LPS
2512-393K
25503.5
22A-001G
2211.25
23S6R8
2N3677
2SK1468
259012
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24S5.1000HW
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联系人：王云
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2SK1338
RENESAS
2425+
7710
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进口原装!优势现货!
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK1338
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
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