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2SK1335 （L） 2SK1335 （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1335 （L） 2SK1335 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±20
3
12
3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
200
±20
—
—
2.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.5
2.3
380
150
35
10
27
30
20
1.0
120
最大
—
—
±10
100
4.0
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
I
F
= 3 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 15
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK1335 （L） 2SK1335 （S）
功率与温度降额
30
通道耗散P沟（W）的
最高安全工作区
50
O
每
在林
它ê离子
d。在
由次
R是
(o
n
20
漏电流I
D
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
re
)
a
10
DS
s
0
10
20
D
C
1
10
s
PW
O
pe
ra
TIO
n
=
m
s
(T
s
m
(1
Sh
C
10
=
)
ot
25
°C
)
TA = 25°C
1
10
100 300 1,000
3
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
10 V
7V
漏电流I
D
(A)
4
5.5 V
3
5.0 V
2
4.5 V
V
GS
= 4.0 V
0
4
12
16
8
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
6V
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
4
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
3
2
75°C
1
TA = 25°C
–25°C
4
10
2
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
1
3
2SK1335 （L） 2SK1335 （S）
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
4
I
D
= 5 A
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
5
脉冲测试
2
1.0
0.5
V
GS
= 10 V
3
2
15 V
0.2
0.1
1
2A
1A
0
8
20
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
0.05
0.2
0.5
5
1
2
漏电流I
D
(A)
10
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
yfs
(S)
2.0
V
GS
= 10 V
脉冲测试
10
5
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲测试
–25°C
TC = 25°C
75°C
1.6
2
1
0.5
1.2
I
D
= 5 A
2A
1A
0.8
0.4
0.2
0.1
0.05
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.1
0.5
2
1
0.2
漏电流I
D
(A)
5
4
2SK1335 （L） 2SK1335 （S）
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
500
的di / dt = 50A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
电容C （PF ）
100
1,000
西塞
典型的电容比。
漏源极电压
200
100
50
科斯
10
V
GS
= 10V
脉冲测试
1
CRSS
20
10
0.05 0.1 0.2
1
0.5
2
反向漏电流I
DR
(A)
5
0
20
50
10
30
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DD
= 50 V
100 V
150 V
V
GS
200
V
DS
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
4
I
D
= 3 A
8
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
开关特性
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
开关时间t（ NS ）
400
16
200
100
50
t
D（关闭）
t
f
t
r
10
5
0.05
t
D（上）
300
12
20
100
4
0
8
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
0
20
0.1
0.5
2
0.2
1
漏电流I
D
(A)
3
5
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