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2SK1159 ， 2SK1160
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器，DC-DC转换器和电动机驱动器
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1159 ， 2SK1160
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1159
2SK1160
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
8
32
8
60
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1159 ， 2SK1160
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1159 V
（ BR ） DSS
2SK1160
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.55
0.60
7.5
1150
340
55
17
55
100
45
0.9
350
3.0
0.7
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 8 A，V
GS
= 0
I
F
= 8 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1159我
DSS
2SK1160
门源截止电压
静态漏源2SK1159
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1160
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
身体向前漏二极管
电压
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1159 ， 2SK1160
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
50
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
DS
re
a
(o
n
最高安全工作区
10
20
漏电流I
D
(A)
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
40
s
P
1
DC
W=
m
s
O
10
pe
m
ra
s (
TIO
1
n
sh
(T
ot
)
C
10
0
s
)
=
20
25
°C
)
TA = 25°C
1
2SK1160
2SK1159
10
100 300 1,000
3
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
20
典型的输出特性
20
10 V
6V
5.5 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
典型的传输特性
–25°C
V
DS
= 20 V
脉冲测试
TA = 25°C
75°C
16
漏电流I
D
(A)
12
5.0 V
8
4.5 V
4
V
GS
= 4 V
0
10
30
40
20
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
12
8
4
0
2
6
8
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
4
2SK1159 ， 2SK1160
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
10 A
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
5
脉冲测试
V
GS
= 10 V
2
1.0
15 V
0.5
6
4
5A
2
I
D
= 2 A
0.2
0.1
0.5
0
8
20
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
1.0
2
10
5
20
漏电流I
D
(A)
50
静态漏极至源极通态电阻
R
D
S（ ON）的
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
V
GS
= 10 V
脉冲测试
1.6
I
D
= 10 A
正向转移导纳
yfs
(S)
2.0
50
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
20
10
5
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
1.2
0.8
2, 5 A
0.4
2
1.0
0.5
0.1
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.2
0.5 1.0
2
漏电流I
D
(A)
5
10
5
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23S08E-1HPGGI
2SC1740S-S
2SC1740SS
2745B
20J250E
250204B
2N3115
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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联系人：朱咸华
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地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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电话：19376732445
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