【2SK1155 ， 2SK1156硅N沟道MOS FETREJ03G0909-0200（上一个： A】,IC型号2SK1155-E,2SK1155-E PDF资料,2SK1155-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SK1155 ， 2SK1156

硅N沟道MOS FET

REJ03G0909-0200

（上一个： ADE- 208-1247 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A

（包名称： TO- 220AB ）

D

G

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

S

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1155 ， 2SK1156

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

2SK1155

2SK1156

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

2

PCH *

总胆固醇

TSTG

1

符号

V

DSS

评级

450

500

±30

5

20

5

50

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

2SK1155

2SK1156

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

450

500

±30

—

—

2.0

—

—

2.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

1.0

1.2

4.0

640

160

20

10

25

50

30

0.95

300

最大

—

—

±10

250

3.0

1.4

1.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100

μA ，V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

3

I

D

= 2.5 A，V

GS

= 10 V *

I

D

= 2.5 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 2.5 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 12

3

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅压漏

当前

2SK1155

2SK1156

门源截止电压

静态漏源2SK1155

态电阻

2SK1156

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 3.脉冲测试

I

F

= 5 A，V

GS

= 0

I

F

= 5 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1155 ， 2SK1156

主要特点

功率与温度降额

60

50

20

10

Ar

ea

O

每

在林

ITE离子

D B的

读该

(o

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

10

0

s

漏电流I

D

(A)

10

5

2

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

s

DS

40

PW

1

=

10

m

s

D

m

(1

n)

C

s

sh

ot

)

O

pe

ra

TIO

n

20

(T

C

=

25

°

C

TA = 25°C

)

2SK1156

2SK1155

10

30

100

300

1,000

0

50

100

150

1

3

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10

10 V

脉冲测试

5.5 V

10

典型的传输特性

–25°C

V

DS

= 20 V

脉冲测试

75°C

6

6V

T

C

= 25°C

漏电流I

D

(A)

6

5.0 V

4

4.5 V

2

V

GS

= 4 V

0

10

20

30

40

50

漏电流I

D

(A)

8

8

4

2

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

10

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

10

脉冲测试

5

V

GS

= 10 V

15 V

漏极至源极饱和电压V

DS

（上）（V）的

8

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

6

5A

2

1.0

0.5

4

2A

I

D

= 1 A

0

4

8

12

16

20

2

0.2

0.1

0.5

1.0

2

5

10

20

50

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1155 ， 2SK1156

静态漏源导通状态

电阻与温度

5

V

GS

= 10 V

脉冲测试

4

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

10

5

2

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

V

DS

= 20 V

脉冲测试

–25°C

T

C

= 25°C

75°C

3

I

D

= 5 A

2

1A

2A

1

0

–40

0

40

80

120

160

0.1

0.2

0.5

1.0

2

5

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

5,000

2,000

1,000

500

200

100

50

0.1

1

0.2

0.5

1.0

2

5

10

0

的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

1,000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

电容C （PF ）

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

100

科斯

10

CRSS

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

500

开关特性

20

500

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

V

DD

= 100 V

250 V

V

DS

400 V

V

GS

= 10 V V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

值班< 1 ％

开关时间t（ NS ）

400

16

200

100

t

D（关闭）

50

t

f

20

10

5

0.1

t

r

t

D（上）

300

V

GS

200

I

D

= 5 A

100

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

8

16

24

32

12

8

4

0

0

40

0.2

0.5

1.0

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1155 ， 2SK1156

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

8

6

4

5, 10 V

V

GS

= 0, –10 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

T

C

= 25°C

1.0

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

θch -C

= 2.50 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

D = PW

T

0.02

0.03

0.01

e

ULS

OT P

h

1S

0.01

10

100

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

R

L

VOUT

50

VIN = 10 V

.

V

DD

= 30 V

.

TD （上）

VIN

10 %

波形

90 %

10 %

90 %

tr

90 %

TD （关闭）

10 %

tf

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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