2SK1151 （L） （S） - ， 2SK1152 （L） （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1151 （L） （S） - ， 2SK1152 （L） （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1151
2SK1152
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
1.5
6
1.5
20
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1151 （L） （S） - ， 2SK1152 （L） （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1151 V
（ BR ） DSS
2SK1152
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
100
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
4.0
1.1
160
45
5
5
10
20
10
1.0
220
3.0
5.5
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
I
D
= 1 A，V
DS
= 20 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1151我
DSS
2SK1152
门源截止电压
静态漏源2SK1151
DS （ ON）
在stateresistance
2SK1152
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1151 （L） （S） - ， 2SK1152 （L） （S）
功率与温度降额
30
通道耗散P沟（W）的
10
10
最高安全工作区
O
AR元
由EA在
R是离子
S
在李米
(o
余吨
n)
他特德
3
漏电流I
D
(A)
20
1.0
0.3
0.1
0.03
10
0
D
C
s
1
s
PW
=
O
pe
ra
TIO
n
m
s
s
m
10
(1
)
ot
Sh
25
(T
C
10
=
°C
)
2SK1151
TA = 25°C
2SK1152
0.01
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
10
1,000
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
脉冲测试
15 V
2.0
5V
6V
10 V
4.5 V
1.2
1.6
漏电流I
D
(A)
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
1.6
漏电流I
D
(A)
1.2
0.8
4V
0.4
V
GS
= 3.5 V
0
4
8
12
16
漏极至源极电压V
DS
(V)
20
0.8
75°C
0.4
T
C
= 25°C
0
2
4
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
–25°C
4
2SK1151 （L） （S） - ， 2SK1152 （L） （S）
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
100
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
16
12
2A
8
1A
I
D
= 0.5 A
0
4
8
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
20
10
5
15 V
4
2
1
0.05
0.1
0.2
0.5 1.0
2
漏电流I
D
(A)
5
静态漏源导通状态
电阻与温度
通态电阻，静态漏源
R
DS （ ON）
()
10
I
D
= 2 A
8
V
GS
= 10 V
脉冲测试
正向转移导纳
yfs
(S)
5
2
1.0
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
6
1A
0.5 A
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
75°C
4
2
0
–40
0
40
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
0.05
0.1
0.5 1.0
0.2
2
漏电流I
D
(A)
5
5
2SK1151 （L） 2SK1151 （S）
2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0907-0200
（上一个： ADE- 208-1245 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A
（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ） ）
4
D
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
1
2
3
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1151
2SK1152
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
450
500
±30
1.5
6
1.5
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿2SK1151
电压
2SK1152
栅源击穿电压
门源漏电流
2SK1151
零栅压漏
当前
2SK1152
门源截止电压
2SK1151
静态漏极至源极导
态电阻
2SK1152
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
450
500
±30
—
—
2.0
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
3.5
4.0
1.1
160
45
5
5
10
20
10
1.0
220
最大
—
—
±10
100
3.0
5.5
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 1 A，V
DS
= 20 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
主要特点
功率与温度降额
30
10
10
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
O
AR元
由EA在
R是离子
DS
在LIM
(o
余吨
n)
他特德
3
漏电流I
D
(A)
10
0
D
s
1
s
PW
20
1.0
0.3
0.1
0.03
C
m
s
=
O
10
m
s
TIO
ra
pe
(1
o
Sh
t)
=
25
(T
C
n
10
°
C
)
2SK1151
TA = 25°C
0
50
100
150
0.01
1
10
2SK1152
100
1,000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
脉冲测试
15 V
2.0
5V
6V
10 V
4.5 V
1.2
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.6
1.6
V
DS
= 20 V
脉冲测试
1.2
0.8
4V
0.4
V
GS
= 3.5 V
0
4
8
12
16
20
0.8
75°C
0.4
T
C
= 25°C
0
2
4
6
8
10
–25°C
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
20
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
100
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
16
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
12
2A
8
1A
I
D
= 0.5 A
0
4
8
12
16
20
20
10
5
15 V
4
2
1
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页7
2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
通态电阻，静态漏源
R
DS （ ON）
()
10
I
D
= 2 A
8
V
GS
= 10 V
脉冲测试
正向转移导纳
y
fs
(S)
正向转移导纳
与漏电流
5
2
1.0
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
75°C
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
6
1A
0.5 A
4
2
0
–40
0
40
80
120
160
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
1,000
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
100
科斯
10
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
10
0.05
1
0
10
电容C （PF ）
CRSS
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
20
100
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
漏极至源极电压V
DS
(V)
100 V
250 V
400
V
DS
400 V
16
50
开关时间t（ NS ）
t
D（关闭）
20
t
f
10
5
t
D（上）
t
r
2
1
0.05
300
V
GS
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
2
4
6
I
D
= 1.5 A
12
8
100
4
0
8
0
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
2.0
反向漏电流I
DR
(A)
1.6
脉冲测试
1.2
0.8
0.4
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
se
PUL
1.0
T
C
= 25°C
θ
CH-C （吨） =
γ
S
(t)
θ
CH-C
θ
CH-C = 6.25 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
D=
PW
T
100
1m
10 m
100 m
1
10
PW
T
0.03
0.01
ot
h
1S
0.01
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
VOUT
50
VIN = 10 V
.
V
DD
= 30 V
.
TD （上）
VIN
10 %
波形
90 %
10 %
90 %
tr
90 %
TD （关闭）
10 %
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
QQ：2880707522 复制
