SMD型
MOS场效应
2SK1133
SOT-23
MOSFET
单位:mm
特点
直接用集成电路有一个5V电源驱动。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
它的高输入阻抗。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
不必考虑,因为驱动电流
可以通过省略biasresistor减少部件的数量。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ,占空比
50%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
50
7.0
100
200
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=50V,V
GS
=0
V
GS
=
7V,V
DS
=0
A
1.0
20
1.7
40
16
7
V
DS
=5.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
6
2
6
V
GS ( ON)
=0,V
DD
=5V,f=1MHz
25
36
35
50
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
-10
10
2.0
单位
A
A
V
ms
V
GS ( OFF )
V
DS
=5.0V,I
D
=1
Y
fs
V
DS
=5.0V,I
D
=20mA
R
DS ( ON)
V
GS
=4V,I
D
=20mA
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
记号
记号
G11
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
2SK1133
SOT-23
单位:mm
特点
直接用集成电路有一个5V电源驱动。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
它的高输入阻抗。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
不必考虑,因为驱动电流
可以通过省略biasresistor减少部件的数量。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ,占空比
50%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
50
7.0
100
200
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=50V,V
GS
=0
V
GS
=
7V,V
DS
=0
A
1.0
20
1.7
40
16
7
V
DS
=5.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
6
2
6
V
GS ( ON)
=0,V
DD
=5V,f=1MHz
25
36
35
50
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
-10
10
2.0
单位
A
A
V
ms
V
GS ( OFF )
V
DS
=5.0V,I
D
=1
Y
fs
V
DS
=5.0V,I
D
=20mA
R
DS ( ON)
V
GS
=4V,I
D
=20mA
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
记号
记号
G11
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
0-0.1
4008-318-123
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