硅结场效应晶体管(小信号)
P
D
Ta
320
2.5
Ta=25C
280
2.0
2.0
V
GS
=0V
1.5
– 0.1V
– 0.2V
1.0
– 0.3V
– 0.4V
0.5
40
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
6
0
–1.2
2SK1103
I
D
V
DS
2.5
I
D
V
GS
允许功耗P
D
( mW)的
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
240
200
160
120
80
Ta=–25C
1.5
25C
1.0
75C
0.5
–1.0 – 0.8 – 0.6 – 0.4 – 0.2
0
环境温度Ta (C )
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
| Y
fs
|
V
GS
5
2.5
V
DS
=10V
Ta=25C
4
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
V
DS
=10V
Ta=25C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
10
V
GS
=0
f=1MHz
Ta=25C
8
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
2.0
I
DSS
=10mA
1.5
3
I
DSS
=10mA
2
6
C
国际空间站
1.0
4
1
0.5
2
C
OSS
C
RSS
0
–1.6
0
–1.2
– 0.8
– 0.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
3
10
30
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(MA )
漏极至源极电压V
DS
(V)
2