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硅结场效应晶体管(小信号)
2SK1103
硅n沟道FET的结
切换
补充2SJ163
0.65±0.15
+0.2
单位:mm
0.65±0.15
2.8
–0.3
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
2.9
–0.05
1.9±0.2
+0.2
q
低导通电阻
q
低噪声特性
0.95
1
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
s
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
栅漏电压
漏电流
栅电流
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
英镑
评级
65
20
10
150
150
55
+150
单位
0.8
2
1.45
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.1
–0.1
1 :源
2 :排水
3 :门
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装( 3针)
标记符号(例) : 4L
s
电气特性
( TA = 25°C )
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
栅漏电压
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS *
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS ( ON)
条件
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V,
V
DS
= 0
I
G
=
10A,
V
DS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
V
DS
= 10V ,我
D
= 1mA时, F = 1kHz时
V
DS
= 10mV的,V
GS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
1.8
65
1.5
2.5
300
7
1.5
3.5
0.2
典型值
最大
6
10
单位
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
输入电容(共源)C
国际空间站
反向传输电容(共源)C
RSS
*
I
DSS
等级分类
Runk
I
DSS
(MA )
O
0.2-1
4LO
P
0.6 1.5
4LP
Q
1至3个
4LQ
R
2.5 6中
4LR
标记符号
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1
硅结场效应晶体管(小信号)
P
D
Ta
320
2.5
Ta=25C
280
2.0
2.0
V
GS
=0V
1.5
– 0.1V
– 0.2V
1.0
– 0.3V
– 0.4V
0.5
40
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
6
0
–1.2
2SK1103
I
D
V
DS
2.5
I
D
V
GS
允许功耗P
D
( mW)的
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
240
200
160
120
80
Ta=–25C
1.5
25C
1.0
75C
0.5
–1.0 – 0.8 – 0.6 – 0.4 – 0.2
0
环境温度Ta (C )
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
| Y
fs
|
V
GS
5
2.5
V
DS
=10V
Ta=25C
4
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
V
DS
=10V
Ta=25C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
10
V
GS
=0
f=1MHz
Ta=25C
8
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
2.0
I
DSS
=10mA
1.5
3
I
DSS
=10mA
2
6
C
国际空间站
1.0
4
1
0.5
2
C
OSS
C
RSS
0
–1.6
0
–1.2
– 0.8
– 0.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
3
10
30
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(MA )
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
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    -
    -
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