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2SK1083-MR
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
60V
0,22
8A
20W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
I
I
V
P
T
T
D
D（ PULS ）
DR
GS
D
ch
英镑
＆ GT ;等效电路
等级
60
8
32
8
±20
20
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
二极管正向导通电压
反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
I
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
V
t
GS （ TH）
DSS
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=60V
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=4A
I
D
=4A
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V
DS =
V
GS
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=0V
V
GS
=4V
V
GS
=10V
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
I
D
=8A
V
GS
=10V
R
GS
=25
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,22
0,15
6
300
110
40
7
30
50
20
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50
马克斯。
2,5
500
1,0
100
0,35
0,22
450
170
60
10
45
75
30
1,8
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
SD
rr
3
- 热特性
项
热阻
符号
R
R
第（章-a）的
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
6,25
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
60V
0,22
2SK1083-MR
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
8A
20W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
I
D
[A]
1
↑
R
DS （ ON）
[]
2
↑
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
典型正向跨导与我
D
栅极阈值电压与T
ch
↑
R
DS （ ON）
[]
4
↑
g
fs
[S]
5
↑
V
GS （ TH）
[V]
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
典型输入充电
反向二极管的正向特性
↑
C [ nF的]
7
↑
V
DS
[V]
8
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
9
V
DS
[V]
→
Q
g
[ NC ]
→
V
SD
[V]
→
允许功耗与T
C
安全工作区
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
11
T
c
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
2SK1083-MR
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
60V
0,22
8A
20W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
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I
I
I
V
P
T
T
D
D（ PULS ）
DR
GS
D
ch
英镑
＆ GT ;等效电路
等级
60
8
32
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±20
20
150
-55 ~ +150
单位
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A
A
A
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W
°C
°C
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C
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除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
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反向传输电容
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r
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C
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t
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/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
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1,0
典型值。
1,5
10
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马克斯。
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1,8
单位
V
V
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pF
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ns
ns
ns
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DS （ ON）
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OSS
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3
- 热特性
项
热阻
符号
R
R
第（章-a）的
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
6,25
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
60V
0,22
2SK1083-MR
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
8A
20W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
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1
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→
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典型的漏源导通状态，电阻与我
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→
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→
允许功耗与T
C
安全工作区
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
↑
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10
↑
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[A]
12
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c
[°C]
→
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→
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→
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供货商
型号
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